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          正激各種磁復(fù)位優(yōu)缺點:三繞組、RCD、有緣鉗位、雙管正激

          作者: 時間:2018-07-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          概述

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/384487.htm

          單端的磁復(fù)位技術(shù)

          使用單端隔離變壓器之后,變壓器磁芯如何在每個脈動工作磁通之后都能恢復(fù)到磁通起始值,這是產(chǎn)生的新問題,稱為去磁復(fù)位問題。因為線圈通過的是單向脈動激磁電流,如果沒有每個周期都作用的去磁環(huán)節(jié),剩磁通的累加可能導(dǎo)致出現(xiàn)飽和。這時開關(guān)導(dǎo)通時電流很大;斷開時,過電壓很高,導(dǎo)致開關(guān)器件的損壞。

          剩余磁通實質(zhì)是磁芯中仍殘存有能量,如何使此能量轉(zhuǎn)移到別處,就是磁芯復(fù)位的任務(wù)。具體的磁芯復(fù)位線路可以分成兩種:

          一種是把鐵芯殘存能量自然的轉(zhuǎn)移,在為了復(fù)位所加的電子元件上消耗掉,或者把殘存能量反饋到輸入端或輸出端;另一種是通過外加能量的方法強(qiáng)迫鐵芯的磁狀態(tài)復(fù)位。具體使用那種方法,可視的大小、所使用的磁芯磁滯特性而定。

          在磁場強(qiáng)度H為零時,磁感應(yīng)強(qiáng)度的多少是由鐵芯材料決定。圖a的剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度Br比圖b小,圖a一般是鐵氧體、鐵粉磁芯和非晶合金磁芯,圖b一般為無氣隙的晶粒取向鎳鐵合金鐵芯。

          對于剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度Br較小的鐵芯,一般使用轉(zhuǎn)移損耗法。轉(zhuǎn)移損耗法有線路簡單、可靠性高的特點。對于剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度Br較高的鐵芯,一般使用強(qiáng)迫復(fù)位法。強(qiáng)迫復(fù)位法線路較為復(fù)雜。

          簡單的損耗法磁芯復(fù)位電路是由一只穩(wěn)壓管和二極管組成,穩(wěn)壓管和二極管與變壓器原邊繞組或和變壓器副邊繞組并聯(lián),磁芯中殘存能量由于穩(wěn)壓管反向擊穿導(dǎo)通而損耗,它具有兩種功能,既可以限制開關(guān)管過電壓又可以消除磁芯殘存能量。在實際應(yīng)用中由于變壓器從原邊到副邊的漏電感(寄生電感)存在,這個電感中也有存儲的能量,因此一般把穩(wěn)壓管和二極管與變壓器原邊繞組并聯(lián)連結(jié)。這種電路只適用于小中。

          幾種磁復(fù)位方式

          三繞組復(fù)位法

          RCD復(fù)位

          有源鉗位

          雙管正激

          三繞組復(fù)位法

          優(yōu)點:

          技術(shù)成熟可靠,磁化能量可無損地回饋到直流電網(wǎng)中去。

          缺點:

          附加的磁復(fù)位繞組使變壓器的結(jié)構(gòu)和設(shè)計復(fù)雜化;

          開關(guān)管關(guān)斷時,變壓器漏感引起的關(guān)斷電壓尖峰需要RC緩沖電路來抑制,尤其是變壓器滿載時;

          開關(guān)管承受的電壓與輸入直流電壓成正比,當(dāng)變壓器工作在寬輸入電壓范圍時,必須采用高壓功率MOSFET,而高壓功率MOSFET的導(dǎo)通較大,從而導(dǎo)致導(dǎo)通損耗較大;

          Uin=Uinmax時,占空比d=dmin很小,不易于大功率輸出。

          RCD復(fù)位

          Cs:晶體管輸出電容、鉗位二極管結(jié)電容、折算到原邊的整流二極管結(jié)電容和變壓器繞組電容之和

          t=t0~t1期間,開關(guān)管導(dǎo)通變壓器上的磁化電流增加;t=t1時VM 關(guān)斷,隨后以負(fù)載折算到原邊的電流Io/n給Cs線性充電;

          t=t2時開始磁復(fù)位,Cs與Lm諧振使得磁化電感能量有一部分轉(zhuǎn)移到Cs 中去,剩余的磁化電感能量和變壓器漏感能量消耗在鉗位R中;

          t=t2時開始磁復(fù)位,Cs與Lm諧振使得磁化電感能量有一部分轉(zhuǎn)移到Cs 中去,剩余的磁化電感能量和變壓器漏感能量消耗在鉗位R中;

          在t=t4~t5期間,Cs中儲存的能量傳遞到磁化電感Lm中去。

          可推導(dǎo)出鉗位電壓為:

          ① Uc與Uin無關(guān);

          ②增大Lm可降低Uc;

          ③ 增加Cs,可降低Uc;這可通過在VM漏源兩端外并電容來實現(xiàn).但這卻增加了功率開關(guān)的容性開通損耗;

          ④減小源副邊總漏感L1k可降低Uc,這是降低鉗位電壓的關(guān)鍵因素。

          優(yōu)點:

          磁復(fù)位電路簡單;

          功率開關(guān)電壓較低;

          占空比d可大于0.5,適用于寬輸入電壓場合。

          缺點:

          大部分磁化能量消耗在鉗位電阻中。因此,它廣泛應(yīng)用于價廉、效率要求不太高的功率變換場合。

          有源鉗位

          為了簡化分析,假設(shè)輸出濾波電感L和鉗位電容Ccl足夠大,因此可將它們分別作為電流源和電壓源處理。變壓器用磁化電感Lm 、原副邊總漏感L1k和變比為n:1的理想變壓器表示。每個開關(guān)周期分為七個區(qū)間.原理波形如下圖所示。

          t=t0時,功率開關(guān)VM開通。VDC與VD2截止.VD1開通;

          t=t1時。功率開關(guān)VM關(guān)斷,以Io/n對電容Cs充電.使得UDs增大;

          t= t2時。UDs=Uin ,VD1關(guān)斷,VD2開通,磁化電流對C2 充電.即 Lm與Cs 諧振,部分磁化能量轉(zhuǎn)移到Cs中去;

          t=t3時,UDs=Uin +Uc1,VDC開通.i m以-Uc1/Lm 斜率下降,一直到t4 時刻為零,鉗位開關(guān)VMC 應(yīng)在t3~t4 期間加上開通信號;

          t=t4時,i m開始變負(fù),VMc 實現(xiàn)了零電壓開通,i m仍以一Ucl/L m斜率下降,鐵心工作在第三象限;

          t=t5時,VMc關(guān)斷,Lm與Cs開始諧振,C s以負(fù)的磁化電流放電,能量回饋到電網(wǎng)及轉(zhuǎn)移到磁化電感中去;

          t=t6時,UDS下降到Uin,VD1開通,為i m在副邊續(xù)流提供了通路;

          t=t7 時,VM再次開通,開始了另一周期。由此可見,鉗位開關(guān)VM 實現(xiàn)了零電壓開關(guān)(ZVS),功率開關(guān)VM 實現(xiàn)了零電壓關(guān)斷,但非零電壓開通。

          優(yōu)點:

          變壓器磁化能量和漏惑能量可重復(fù)利用;

          可利用低壓功率MOSFET和二極管;

          ZVT-PWM工作方式;

          占空比d可大于0.5;

          變壓器鐵心工作在一、三象限雙向?qū)ΨQ磁化,鐵心利用率高,銅損小

          缺點:

          多用一個鉗位開關(guān),增加了驅(qū)動電路難度和成本。

          雙管正激

          優(yōu) 點 :

          加 于 每 個MOSFFT的最大電壓僅為VDD。

          減 少 了干擾尖峰,有利于減小了應(yīng)力和噪聲

          可 以 有 效地避免誤觸發(fā)引起的短路故障。

          缺 點 :

          需 要 更 多的開關(guān)器件,增加了成本。

          電路 中 過多的器件可能降低效率,但可以通過使用低

          額定電壓的MOSFET降低電阻RDS(on)來提高效率。

          占空 比 小于50%,受開關(guān)頻率的限制。



          關(guān)鍵詞: 電阻 變換器 功率

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