關(guān)于去耦電容的選擇

去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對(duì)應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實(shí)中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實(shí)際電容的頻響曲線明顯呈非線性，僅在一定頻率區(qū)間內(nèi)基本符合純電容的理論計(jì)算結(jié)果，超出一定界限后就與理論值越差越遠(yuǎn)，超到一定程度后甚至電容將不再是電容了，這個(gè)頻率稱“自諧振頻率”，同樣材料和制造工藝下，容量越小的電容自諧振頻率越高。所以去耦電容的選擇除了需大致考慮頻率外，還要考慮負(fù)載的情況，在一定頻率之后還得考慮電容的材料和生產(chǎn)工藝等，在此基礎(chǔ)上綜合的結(jié)果決定去耦電容的容量和種類。

通常數(shù)字電路的噪聲頻率在兆至百兆量級(jí)區(qū)間，這個(gè)區(qū)間的噪聲采用陶瓷獨(dú)石介質(zhì)的0.1uF電容就可取得合適的效果，如果負(fù)載較重或噪聲較強(qiáng)，可選擇更大容量的電容或用多個(gè)電容并聯(lián)，同樣容量和電容材料下，小電容并聯(lián)的效果強(qiáng)于單一大電容，頻率越高越明顯，高頻去耦則需采用大小電容并聯(lián)的方式分別對(duì)付不同頻譜的噪聲。

一般去耦電容的容量選取原則：

100M以下輕載：0.1uF，重載或存在較大低頻噪聲的可加并1-10uF的電容，介質(zhì)材料選擇陶瓷或鉭為宜;

100M-1000M：前述+100-1000pF(+10pF)，括號(hào)內(nèi)根據(jù)頻率的高限選擇是否需要，小電容的介質(zhì)選擇必須是高頻陶瓷，早期則多用云母，

1G以上：前述+1-10pF，介質(zhì)最好選擇高Q微波陶瓷材料。

高頻重載時(shí)必須用多個(gè)小電容并聯(lián)切不可直接用大電容。

順便一說(shuō)，技術(shù)上去耦電容不是一般稱的濾波電容，濾波電容指電源系統(tǒng)用的，去藕電容則是分布在器件附近或子電路處主要用于對(duì)付器件自身或外源性噪聲的特殊濾波電容，故有特稱——去耦電容，去耦指“去除(噪聲)耦合”之意。