DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板（PCB）布局,第1部分

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局 —— 第1部分

在當(dāng)今這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的時(shí)代，產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)是：不僅要緊跟同行步伐，而且要保持領(lǐng)先群雄的地位。這就對(duì)那些欲借助差異化產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提出了更高的要求。

創(chuàng)新的一種重要方法是使用高密度設(shè)計(jì)。為推出占位面積更小的解決方案，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正集中研究功率密度(一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器電路每單位面積或體積的輸出功率)的問(wèn)題。

高密度直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器印刷電路板(PCB)布局最引人矚目的范例涉及功率級(jí)組件的放置和布線(xiàn)。精心的布局可同時(shí)提高開(kāi)關(guān)性能、降低組件溫度并減少電磁干擾(EMI)信號(hào)。請(qǐng)細(xì)看圖1中的功率級(jí)布局和原理圖。

圖1：四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級(jí)布局和原理圖

在筆者看來(lái)，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)：

組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤其在較高的開(kāi)關(guān)頻率下對(duì)濾波器無(wú)源組件的尺寸減小更是至關(guān)重要。例如，功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)已見(jiàn)證了硅芯片和封裝方面的一致進(jìn)展，其中最值得注意的是采用了極少出現(xiàn)寄生現(xiàn)象的氮化鎵(GaN)功率器件。與此同時(shí)，磁性組件的性能也得到了單獨(dú)提升，雖然其速度可能落后于功率半導(dǎo)體組件的性能提升速度。憑借控制集成電路(IC)的謹(jǐn)慎布局(集成式自適應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)器靠近MOSFET)，在很多情況下無(wú)需再用功率耗散緩沖器或柵極電阻器組件進(jìn)行開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換速率的調(diào)整。

散熱設(shè)計(jì)。雖然高密度布局一般有利于提升轉(zhuǎn)換效率，但它可能會(huì)形成一個(gè)散熱性能瓶頸。要在更小的占位空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)相同功耗的想法變得站不住腳。組件溫度攀升會(huì)使較高的故障率和可靠性問(wèn)題更嚴(yán)重。把外形較纖薄的功率MOSFET放置在PCB頂部(不會(huì)被電感器和電解電容器等較厚的組件遮蔽氣流)有助于通過(guò)對(duì)流氣流提高散熱性能。就圖1中的轉(zhuǎn)換器而言，電感器和電解電容器被特意放在了多層PCB的底部，因?yàn)槿绻糜陧敳?，它們?huì)妨礙熱傳遞。

抗EMI性能。EMI合規(guī)性是產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期中的一個(gè)重要里程碑。高密度設(shè)計(jì)通常沒(méi)有多少可用于EMI濾波的空間。但嚴(yán)密的布局可改善輻射發(fā)射狀況，并對(duì)傳送進(jìn)來(lái)的干擾產(chǎn)生更強(qiáng)的抵御能力。兩個(gè)基本步驟是：最大限度地減少載有大di/dt電流的環(huán)路面積(見(jiàn)圖1中的白色電流路徑)，并縮減具有高dv/dt電壓的表面積(見(jiàn)圖1中的覆銅多邊形SW1和SW2)。

高密度PCB設(shè)計(jì)流程。顯然，對(duì)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，培養(yǎng)和磨礪自己的PCB設(shè)計(jì)技能非常重要。盡管布局的職責(zé)往往會(huì)委托給布局專(zhuān)家，但工程師仍承擔(dān)著審查設(shè)計(jì)并且非正式批準(zhǔn)它的最終責(zé)任。

考慮到這些挑戰(zhàn)，筆者最近為EDN撰寫(xiě)了一個(gè)詳細(xì)深入探討PCB布局、由三部分組成的系列，標(biāo)題為《DC/DC轉(zhuǎn)換器PCB布局》。它包括一系列PCB布局指南，被規(guī)整成一個(gè)清單，以便在布局過(guò)程中幫助設(shè)計(jì)人員。DC/DC轉(zhuǎn)換器PCB設(shè)計(jì)流程的基本步驟是：

1. 選擇PCB結(jié)構(gòu)和層疊規(guī)范。

2. 從原理圖中找出大di/dt電流環(huán)路和高dv/dt電壓節(jié)點(diǎn)。

3. 進(jìn)行功率級(jí)組件的布局和放置。

4. 放置控制IC并完成控制部分布局。

5. 進(jìn)行關(guān)鍵的跟蹤布線(xiàn)，包括MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)、電流檢測(cè)和輸出電壓反饋。

6. 設(shè)計(jì)電源和接地(GND)層。