二極管串聯(lián)均壓問題的誤區(qū)

引言

由于快恢復二極管的反向耐壓有限，當用于高壓環(huán)境下時，往往需要采用多個快恢復整流二極管串聯(lián)來滿足反向耐壓的需要。由于生產(chǎn)過程中二極管存在伏安特性、開通時間、恢復電荷等方面的不一致性，從而使得在串聯(lián)使用時，發(fā)生二極管不均壓的問題，進而導致某個二極管反向電壓過高而損壞，進一步影響其他二極管的正常運行，最終影響整個裝置的可靠陛和穩(wěn)定勝。

二極管串聯(lián)均壓問題一直是高功率電力電子變換裝置研究的難題。二極管串聯(lián)不均壓的因素有自身因素和外圍電路的因素。在午維伯的《二極管串聯(lián)不需要均壓電阻》一文給出二極管串聯(lián)不需均壓的結(jié)論;而在《二極管串聯(lián)高壓整流的電壓分布與均壓問題》一文給出了二極管串聯(lián)需要均壓;在《用于高壓高頻整流的二極管串聯(lián)均壓問題》一文給出了二極管串聯(lián)均壓方法及參數(shù)選型等等。因此在判斷二極管串聯(lián)均壓問題上容易產(chǎn)生誤區(qū)。

1、二極管的特}生及其串聯(lián)不均壓因素分析

1.1二極管特l生

二極管屬于電力電子器件，也是應用較多較為普遍的器件。一般越熟悉的器件越容易遺漏其關鍵參數(shù)指標，一般情況下只是關心宏觀上的參數(shù)指標，諸如反向耐壓、通態(tài)電流、反向漏電流等。一般隋況下，二極管的結(jié)電容、關斷和開通特眭圖等等容易被忽視。

1.2二極管串聯(lián)不均壓因素分析

二極管串聯(lián)不均壓主要原因來自自身和外部兩類。自身原因主要由加工工藝造成的，外因主要是由外部電路造成的。同一批次生產(chǎn)出來二極管的伏安特性不一致，造成二極管的靜態(tài)不均壓;反向恢復時間及開通狀態(tài)的不一致造成二極管的動態(tài)不均壓目。外部電路設計會造成雜散電感和電容，在高壓高頻環(huán)境中會造成不均壓問題。

2、二極管串聯(lián)不均壓誤區(qū)分析

2.1宏觀下二極管串聯(lián)不均壓分析

《二極管串聯(lián)不需要均壓電阻》一文給出二極管串聯(lián)不需均壓，這是從宏觀上分析得出的，主要考慮的是二極管自身因素的影響。如圖1所示，二個二極管串聯(lián)，外接反向直流電壓。反向飽和電流較小的二極管承受電壓較大，因為兩個二極管串聯(lián)，在外部施加電壓額定的J隋況下，反向飽和電流是不變的。如圖2所示，假設兩個二極管僅反向飽和電流存在差異，D2的反向飽和電流較小。可以明顯得出上述結(jié)論。

在實際運行中，宏觀上二極管由于自身差異導致壓降不同如圖2所示。當外界電壓U加大到D2上的壓降到達臨界點時，由于D1反向飽和電流大導致其壓降相對較小，當D2達到臨界壓降時，D1仍然處于安全穩(wěn)定區(qū)域。U再次加大，按照上述分析，D2上壓降將突破臨界轉(zhuǎn)折電壓，二極管擊穿造成電流急劇增加，但是D1和D2是串聯(lián)于主電路中，D1電流必然隨著D2增加，但是從Dl的伏安曲線得知，D1通過大電流時其反向壓降應該達到轉(zhuǎn)折電壓，故u1和u2之和大于U，推測不成立。因此，U加大時，D2的電壓不會繼續(xù)增加，而D1的電壓會繼續(xù)增加，直至u增加到超過二個管子的反向耐壓之和，此時會出現(xiàn)二極管擊穿。多個管子的分析也是如此，可參照《二極管串聯(lián)不需要均壓電阻》

2.2微觀下二極管串聯(lián)不均壓分析

二極管的引腳、二極管在電路板上的布局等等在高壓高頻環(huán)境下自然而然演變成雜散電容和電感。雜散電容和電感的引入直接影響二極管的開通和關斷波形。電容的引入阻止電壓的突變而電感的引入則阻止電流的突變?！队糜诟邏焊哳l整流的二極管串聯(lián)均壓問題》給出了在高頻下二極管串聯(lián)等效電路圖，如圖3所示C1為二極管結(jié)電容，R為二極管反向電阻，C2為二極管對高壓形成的雜散電容，C3為二極管對地形成的雜散電容，同時從微觀角度分析了二極管串聯(lián)不均壓的原因及后果。在文獻目中提出二極管自身因素可以通過選用同—批次生產(chǎn)的二極管來近似解決，重點考慮外部因素。

3、二極管串聯(lián)的應用

電除塵器高頻電源輸出高頻PWM波經(jīng)升壓變壓器再經(jīng)過整流模塊最終輸出近似直線的電壓波形。整流模塊集成在升壓變壓器中，采用的是二極管串聯(lián)模式，因為電壓等級比較高，一般考慮達到10KV以上。由于輸出電壓波形精度要求不高，故采用二極管直接串聯(lián)方式即可，選用高頻整流二極管，整流輸出仿真波形如圖4所示，實測波形如圖5所示。

如圖所示，整流輸出電壓出現(xiàn)高低波峰，這是由于雜散參數(shù)即外部因素的影響，隨著科學技術的不斷發(fā)展，二極管的制作工藝在不斷提高，其自身因素的影響已經(jīng)微乎其微。

4、結(jié)束語

通過從宏觀和微觀兩個角度簡單分析二極管的串聯(lián)均壓問題，最后得出，在二極管串聯(lián)應用于高壓高頻環(huán)境下時，二極管自身因素產(chǎn)生不均壓但是不會造成二極管的擊穿，二極管的外部因素產(chǎn)生的不均壓是會造成二極管的擊穿甚至更為嚴重的后果。