開關(guān)電源原邊反饋技術(shù)

各方法對(duì)比

●延遲法，從TOFF開始，延遲一段時(shí)間，檢測(cè)VSES。

-這個(gè)方法可想而知是非常不精確的，因?yàn)門OFF的時(shí)間變化很大。

●檢測(cè)斜率法，檢測(cè)VSES的斜率，通過波形分析算法找出膝點(diǎn)。

-這個(gè)方法只有在TOFF區(qū)間的斜率和TDEAD區(qū)間的斜率存在明顯差別時(shí)才管用，而且由于在TDEAD區(qū)間，振蕩是呈正弦曲線，膝點(diǎn)處不存在斜率轉(zhuǎn)折，必須依靠某種算法來推算出膝點(diǎn)。

●諧振反推法，膝點(diǎn)后，初級(jí)電感的諧振會(huì)傳到輔助線圈，檢測(cè)輔助線圈的過零點(diǎn)可以得知諧振頻率，用過零點(diǎn)的時(shí)刻減掉1/4周期，就是膝點(diǎn)。

-這個(gè)方法用于測(cè)時(shí)間恒流還是比較簡(jiǎn)單的，用于恒壓時(shí)必須將電壓的檢測(cè)轉(zhuǎn)變?yōu)闀r(shí)間的檢測(cè)。

諧振反推法實(shí)現(xiàn)恒壓

●諧振后，檢測(cè)次級(jí)線圈的過零點(diǎn)就能得知諧振周期，因此，當(dāng)輸出電壓恰好等于參考電壓時(shí)，VSES和VREF的交點(diǎn)到過零點(diǎn)的時(shí)間TFB也應(yīng)該恰好等于1/4諧振周期TR。如果TFB比TR/4大，說明輸出電壓較低，以至于VSES和VREF的交點(diǎn)提前了，反之，如果TFB比TR/4小，說明輸出電壓較高，以至于VSES和VREF的交點(diǎn)推遲了。

-VZC表示過零點(diǎn)閾值，并不是0V，通常為一個(gè)非常小的電壓，比如0.125V之類的

斜率法和諧振反推法的對(duì)比

●注意到斜率法和諧振反推法是優(yōu)缺點(diǎn)互補(bǔ)的：

-如果TOFF和TDEAD期間的斜率差別越大，越適合用斜率法，如果TOFF和TDEAD期間的斜率差別越小，越適合用諧振反推法。

-實(shí)際上，TOFF期間的斜率通常很小，以至于噪聲對(duì)VSES和VREF交叉點(diǎn)的檢測(cè)有很大的影響，如果采用諧振反推法，必須有某種消除噪聲的方法。

●使用諧振反推法還要注意一點(diǎn)是，由于膝點(diǎn)前后斜率差別較大，TFB偏大和偏小時(shí)，誤差時(shí)間TERR=TR/4 – TFB在大于0和小于0的時(shí)候具有完全不同的環(huán)路增益。

-斜率越低，輸出電壓變化導(dǎo)致的時(shí)間變化差距越大，環(huán)路增益越高，也就是說，當(dāng)輸出電壓小于基準(zhǔn)電壓時(shí)，環(huán)路增益高，當(dāng)輸出電壓大于基準(zhǔn)電壓時(shí)，環(huán)路增益低。

將PSR技術(shù)用于非隔離拓?fù)?/p>

●通常來說，非隔離拓?fù)淇梢灾苯訖z測(cè)輸出VO，沒必要使用復(fù)雜的PSR技術(shù)先檢測(cè)VSND，然后計(jì)算VO，但有一種情況例外：就是需要一個(gè)IC同時(shí)支持隔離和非隔離的時(shí)候。

-從市場(chǎng)的角度來說，隔離和非隔離都是需要的，如果用相同的技術(shù)來解決，無疑可以節(jié)省大量研發(fā)成本。

PSR固有的問題

●檢測(cè)的非實(shí)時(shí)性：每個(gè)切換周期，只有一次正確檢測(cè)輸出電壓的機(jī)會(huì)，不能像其他非隔離型拓?fù)湟粯涌梢噪S時(shí)隨地的檢測(cè)輸出，而且這個(gè)輸出電壓的檢測(cè)還依賴于變壓器的退磁，變壓器的退磁點(diǎn)未到來之前，輸出端發(fā)生的任何變化都無法被檢測(cè)。

●線纜壓降：能得到電壓只是電容兩端的電壓，而不是負(fù)載兩端的電壓，當(dāng)次級(jí)存在明顯的寄生電阻時(shí)，檢測(cè)到的電壓會(huì)明顯偏低。

-去磁點(diǎn)時(shí)，流過二極管的電流為0，電容兩端的電壓等于副邊的電壓，但是流過寄生電阻的電流不為0，負(fù)載上的電壓要小于檢測(cè)到的電壓。

負(fù)載突變的問題

●檢測(cè)的非實(shí)時(shí)性主要體現(xiàn)在負(fù)載突變時(shí)，比如熱插拔。

-在充電器領(lǐng)域，熱插拔是必須支持的，在LED領(lǐng)域，熱插拔也是有必要支持的，很多規(guī)范都要求熱插拔。

-熱插拔包括空載->滿載，和滿載->空載兩種極端情況。

-真實(shí)情況下，并不是每次都是滿載，但如果能支持滿載-空載切換，必然可以支持其他切換。

●空->滿的切換會(huì)導(dǎo)致輸出跌落，滿->空的切換會(huì)導(dǎo)致輸出過沖，要避免這兩種情況，必須使用非線性控制，IC檢測(cè)到熱插拔后，立即調(diào)整控制策略。

熱拔

●如果在TOFF區(qū)間，也就是次級(jí)輸出時(shí)熱拔，相當(dāng)于次級(jí)的負(fù)載阻抗突然升高，此時(shí)會(huì)有個(gè)小的電壓突變，隨后所有的能量會(huì)在電容上聚集，輸出電壓將升高。

●如果在非TOFF區(qū)間熱拔，除了看不到小的電壓突變，導(dǎo)致的最終結(jié)果和前面是沒有區(qū)別的。

假負(fù)載

●如果不能保證每次都能檢測(cè)到且能處理好熱拔，就必須在輸出上加上假負(fù)載或穩(wěn)壓管，讓其能承擔(dān)泄放工作。

-假負(fù)載一般使用電阻，電阻值要小心選取，過大了泄放效果不好，過小又制造大功耗。

熱插和短路判斷

●熱插時(shí)，負(fù)載突然變小，輸出電壓會(huì)跌落，電源需要輸出更多的能量到次級(jí)，但是要區(qū)分熱插和短路。

●不光要區(qū)分熱插和短路，在任何時(shí)候都需要判斷是否短路。

-短路時(shí)，TOFF時(shí)間會(huì)變得很短，可以通過檢查TOFF開始到VSES過零點(diǎn)的時(shí)間來判斷，或者通過TOFF區(qū)間的斜率來判斷。

-如果輸出不在TOFF期間發(fā)生短路，就得等到下一個(gè)TOFF才能檢測(cè)到，在短路后，輸出電容會(huì)有很大的電流，這個(gè)大電流如果持續(xù)時(shí)間過長，導(dǎo)致電容溫升，會(huì)對(duì)電容的壽命會(huì)有一定的影響，所以能盡早的檢測(cè)TOFF是很重要的。

-假設(shè)需要一兩個(gè)周期才能檢測(cè)到短路，是否會(huì)對(duì)電容壽命產(chǎn)生不利影響，這個(gè)目前不清楚。

區(qū)分熱插，短路，開機(jī)

●這3者都表現(xiàn)為輸出要吸收大量能量，但三者的處理方法卻不能相同。

-熱插需要穩(wěn)壓，減少跌落的幅度和持續(xù)時(shí)間，短路需要識(shí)別到，并采取保護(hù)措施，而開機(jī)則需要控制輸出平穩(wěn)的增加。

●這三者主要的區(qū)別有：

-初始狀態(tài)的不同，熱插的初始狀態(tài)為空載，短路的初始狀態(tài)為任意，開機(jī)的初始狀態(tài)為初始態(tài)。

-對(duì)輸出的影響不同，由于開機(jī)的初始態(tài)輸出為0，開機(jī)后輸出表現(xiàn)為增加，另外兩者都表現(xiàn)為減少，所以熱插和短路的區(qū)分更困難一些。

熱插拔抖動(dòng)

●在人進(jìn)行插拔的過程中，端子實(shí)際上是抖動(dòng)著的，會(huì)進(jìn)行快速的碰撞，也就是說，插拔的過程中會(huì)有大量的切換。

●如果IC的檢測(cè)控制處理不當(dāng)，很可能會(huì)出問題。

-出問題的原因在于空載時(shí)，切換頻率已經(jīng)降到非常低了，而滿載時(shí)通常要求切換頻率很高，芯片無法在這兩種情況之間快速切換。

——低頻就意味著不可能快速的做某些事情。