七種常用可控開(kāi)關(guān)器件,再也不怕分不清了!
今天我們從器件對(duì)觸發(fā)信號(hào)波形的要求、開(kāi)關(guān)頻率、單雙極、主要優(yōu)、缺點(diǎn)方面考慮,介紹七種可控開(kāi)關(guān)器件:BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/385919.htm1 BJT
電流型全控器件;
正持續(xù)基極電流控制開(kāi)通,基極電流為0則關(guān)斷;
開(kāi)關(guān)頻率適中;
雙極;
主要優(yōu)點(diǎn):通態(tài)壓降小,通態(tài)損耗小;
主要缺點(diǎn):驅(qū)動(dòng)功率大,頻率低。
2 SCR
電流型半控器件;
正脈沖門(mén)極電流控制開(kāi)通,觸發(fā)信號(hào)不能控制開(kāi)斷;
開(kāi)關(guān)頻率低;
雙極;
主要優(yōu)點(diǎn):通態(tài)壓降小,通態(tài)損耗小;
主要缺點(diǎn):驅(qū)動(dòng)功率大,頻率低。
3 GTO
電流型全控器件;
正脈沖門(mén)極電流控制開(kāi)通,負(fù)脈沖門(mén)極電流(較大)控制關(guān)斷;
開(kāi)關(guān)頻率低;
雙極;
主要優(yōu)點(diǎn):通態(tài)壓降小,通態(tài)損耗小;
主要缺點(diǎn):驅(qū)動(dòng)功率大,頻率低。
4 P-MOSFET
電壓型全控器件;
正持續(xù)柵極電壓控制開(kāi)通,負(fù)持續(xù)柵極電壓控制并保持關(guān)斷;
開(kāi)關(guān)頻率高;
單極;
主要優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高;
主要缺點(diǎn):通態(tài)壓降大(通態(tài)損耗大),電流、電壓額定低。
5 IGBT
電壓型全控器件;
正持續(xù)柵極電壓控制開(kāi)通,負(fù)持續(xù)柵極電壓控制并保持關(guān)斷;
開(kāi)關(guān)頻率較高;
雙極;
主要優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高;
主要缺點(diǎn):通態(tài)壓降大(通態(tài)損耗大)。
6 MCT
電壓型全控器件;
正脈沖電壓控制開(kāi)通,負(fù)脈沖電壓控制關(guān)斷;
開(kāi)關(guān)頻率較高(低于IGBT);
雙極;
主要優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高;
主要缺點(diǎn):通態(tài)壓降大(通態(tài)損耗大)。
7 SIT
電壓型全控器件;
持續(xù)電壓控制斷、通;
開(kāi)關(guān)頻率高;
單極;
主要優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高;
主要缺點(diǎn):通態(tài)壓降大(通態(tài)損耗大)。
評(píng)論