一種單片機可控硅電路中LDO燒毀原因分析

在雙向可控硅電路中，電路打火是一種經常出現(xiàn)的錯誤現(xiàn)象。很多新手再遭遇電路打火之后都需要耗費很多的精力和時間來進行錯誤排查。本文將通過舉例的方式，為大家介紹一種單片機電路打開可控硅之后電路打火進而燒毀LDO的原因，并試著找出解決方法。

原理圖如圖1所示，當直流24V是半波后阻容降壓，HT7533轉換3V給單片機控制可控硅和繼電器，單片機控制信號先打開可控硅6ms，再打開繼電器。當可控硅不焊接的時候，單片機控制繼電器都正常，但接上MAC97A之后，單片機一旦打開可控硅，電路就會打火，單片機和后端的24V轉3V的LDO便會燒毀。

那么是什么原因造成了這種現(xiàn)象呢?

圖1

圖2

首先需要明確的是，如果使用可控硅控制，那么就要使用MOC3022之類光耦隔離控制，要求阻容降壓電源正極和交流電源線共線，同時可控硅A1接在共線上。但是從圖上來看，可控硅的G和T2之間電壓很小，在可控硅焊接之后，就可以把220v引入，此時是必定會打火的。

此外可以看到電路中的網格編號是互通的，看圖中相同網絡編號的黑粗線，繼電器兩個觸點和可控硅的T1、T2是并聯(lián)的。因此需要再加個MOC3021隔離驅動可控硅，可控硅驅動不是只在G接控制即可，G的控制是相對于T2的，但本例中的T2是達到了220v。

實際上此套電路的設計思路很有想法，繼電器接通時有抖動，這樣可以避免繼電器抖動帶來的危害，因為在繼電器接通時可控硅已經打通。

可以看到，文中所介紹的雙向可控硅案例之所以出現(xiàn)燒毀的現(xiàn)象。是因為電壓引入過大造成的。當然，也不是每種電路燒毀的現(xiàn)象都是由于這種原因造成的，這里小編只是為大家分析了其中一種問題的產生原因，希望大家再閱讀過本文之后能夠有所收獲。