基于SPWM技術(shù)的逆變電路結(jié)構(gòu)簡析

與常見的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應(yīng)用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機領(lǐng)域中應(yīng)用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機SPWM逆變電路當(dāng)中，關(guān)鍵器件的取值與作用，幫助大家理解電路的運行原理。

圖1

由圖1所示，在此款逆變電路圖當(dāng)中標(biāo)示1的兩個穩(wěn)壓二極管和電阻什么作用，在具體選型時應(yīng)該注意什么?

圖中標(biāo)示2的地方根據(jù)資料顯示是起到緩沖作用，那么其中的原理是什么?

電阻電容如何進行選擇?通過要緩沖是否可以像圖中標(biāo)示3的地方是IR2130典型電路接法，同樣是電阻和滑動變阻器阻值怎么選，這一塊的過流檢測怎么用(4)圖中標(biāo)示4的地方這個放大倍數(shù)怎么定，被放大的電流如何進行估算?

首先來解釋一下1標(biāo)示的電阻作用。在開關(guān)管關(guān)斷時，快速泄放掉IGBT的g極和e極之間的寄生電容的電壓使得IGBT關(guān)斷速度更快。電阻太大的話開通速度快，而關(guān)斷速度慢，電阻太小關(guān)斷速度快，開通速度慢，甚至不能完全開通。兩個穩(wěn)壓管作用：保護IGBT的G和E之間的電壓不超過+-18V。

2標(biāo)示顯示的RC電路起到緩沖吸收的作用，如果功率電路上有較大電感或寄生電感，當(dāng)IGBT關(guān)斷時，該支路上電流瞬間減小，Ldi/dt將會產(chǎn)生很大的沖擊電壓，擊穿IGBT，緩沖吸收電流能夠減小Ldi/dt，從而達到保護IGBT的目的。如果開關(guān)頻率不高，關(guān)斷過程較長，且IGBT電壓裕量足夠大，可省略緩沖吸收電路。

以上就是針對SPWM技術(shù)當(dāng)中一些關(guān)鍵性參數(shù)的含義與作用解釋。設(shè)計一款電路之前，找到范例并對其中的構(gòu)造進行研究是很有必要的。通過對其中一些關(guān)鍵性問題的思考，能夠獲得比通過循序漸進更好-