一種光耦可控硅中電阻觸發(fā)情況的分析

在光耦可控硅控制當(dāng)中，電阻是非常重要的器件。但很多新手在接觸光耦可控硅當(dāng)中的電阻時(shí)，都會遇到這樣那樣的問題。本文就將以一款光耦可控硅為例，為大家分析其中的電阻問題，感興趣的朋友快來看一看吧。

圖1

如圖1所示，在光耦可控硅驅(qū)動(dòng)可控硅時(shí)，這個(gè)電阻的作用是什么呢?。通常來說，雙向可控硅的觸發(fā)有4種情況：

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發(fā)極)+;

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發(fā)極)-;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發(fā)極)+;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發(fā)極)-;

也就是說，無論雙向可控硅兩端是交流電的正半軸，還是負(fù)半周，觸發(fā)極都可以通過高和低兩種情況進(jìn)行觸發(fā)，根據(jù)這條原理，圖1中在MOC3041關(guān)斷時(shí)，如果遇到T2(或稱陽極)-T1(或稱陰極)+正好滿足G(或稱觸發(fā)極)+的話，那么可控硅不是又觸發(fā)了嗎?

這是否意味著當(dāng)MOC3041不工作時(shí)，雙向可控硅會在負(fù)半周繼續(xù)工作，相當(dāng)于單向可控硅的功能?

實(shí)際上，G的觸發(fā)極性是相對于T1來說的。當(dāng)3041關(guān)斷時(shí)，其微小的漏電流被并聯(lián)在G和T1間的電阻所旁路，使得其上面的電壓很低----近似等于0，遠(yuǎn)小于觸發(fā)所需的電壓。所以根本不會發(fā)生觸發(fā)，不管是正半周還是負(fù)半周。

當(dāng)交流負(fù)半周 即T1+T2-時(shí)，G極和T1等電位，不高于T1，也不會低于T1(在3041關(guān)斷時(shí))，所以不會出現(xiàn)負(fù)半周工作的情況。而這個(gè)電阻旁路掉3041的漏電流，可以很好的關(guān)斷可控硅。

通過以上的介紹可以看到，圖1中的電阻能夠非常順利的對漏電流進(jìn)行屏蔽，并達(dá)到關(guān)斷可控硅的目的。當(dāng)然，這種分析只是對光耦可控硅電阻使用過程中眾多使用方法中的其中一種。還有很多情況是文中未涉及到的，需要大家通過設(shè)計(jì)來積累經(jīng)驗(yàn)。