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          為電過應力事件提供高效浪涌保護

          作者: 時間:2018-08-14 來源:網(wǎng)絡 收藏

          過大的電壓或電流被加至集成電路所產(chǎn)生的電過應力 (EOS) 是誘發(fā) IC 故障的主要起因之一,而且還會導致所謂 “帶傷運行” 產(chǎn)品的出現(xiàn),此類產(chǎn)品雖能繼續(xù)工作,但構成了一種可靠性危險,并有可能引起過早的系統(tǒng)故障。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/386681.htm

          EOS 事件會引起局部發(fā)熱效應并造成芯片級敷金屬或結點受損,但一開始或許并不存在明顯的缺陷。隨著時間的推移以及溫度和電壓偏置的加速作用,此類損壞將改變性能特征,并有可能造成電遷移、熱點和熱失控,從而導致全面的 IC 故障。

          長久以來人們就認識到了這類風險,因此負責保證設備安全性、可靠性和性能的機構及標準化組織已經(jīng)制定了多種規(guī)范,以針對各種潛在的壓力過大問題保護電子電路。

          這類風險之一與上游電源干擾有關,本文中我們集中探討美國國防部接口標準 MIL-STD-1275,該標準與 28V DC 軍用車輛電源有關,還有其他一些類似的國家級規(guī)范,例如英國的 DEFSTAN 61-5 Part 6。飛機有自己的標準,例如,DO-160 面向民用飛機,MIL-STD-704 面向軍用飛機。雖然特定的脈沖特性發(fā)生了變化,但它們在概念上都是非常相似的,因此適用于同樣的原理。

          盡管芯片內置的 ESD 保護功能可以在某種程度上針對電源干擾引起的 EOS 事件提供保護,但是這類事件也許根本就不是異常情況,而是系統(tǒng)典型工作范圍的一部分,這也許表示,會有反反復復超出 IC 最大絕對額定值的事件發(fā)生。

          針對電壓浪涌、尖峰和紋波提供保護

          電壓尖峰的特點是持續(xù)數(shù)十微妙及高達幾百伏的電壓,由雷擊或負載階躍的感應耦合產(chǎn)生。目前應用的解決方案是有效的,這種解決方案通常采用瞬態(tài)電壓抑制器,輔以所需的 EMI 濾波電路和電源電纜電感。

          電壓浪涌一般高達 100V,持續(xù)數(shù)十或數(shù)百毫秒,由拋載引起。負載電路或電池斷接會導致交流發(fā)電機兩端的電壓在短時間內快速上升,并因此導致使用同一電源的其他負載遇到同一電壓浪涌。正如我們稍后會看到的那樣,這可能是一個富挑戰(zhàn)性及難以解決的問題。

          疊加在輸入電源之穩(wěn)態(tài)電壓軌上的電壓紋波會造成進一步的設計挑戰(zhàn)。適度振幅的紋波可由輸入電容器濾波至保護電路,但是在較大紋波和較大電流情況下,通過保護電路將紋波傳送到下游穩(wěn)壓級的做法會更實用且效率更高。

          過壓保護電路

          圖 1:無源過壓保護電路

          傳統(tǒng)的無源過壓保護電路 (圖 1) 需要相對較大和笨重的組件,這樣的組件引入插入損耗,可能因功率需求增加而成為一個問題。將很大的能量分流到地這種做法不能確保向下游供電,且可能由于重復操作而導致無源組件損壞。

          一種較好的解決方案是采用線性浪涌抑制器 IC,這可提供更佳性能、過流保護和更多功能,同時減少了所需電路板面積。一個例子是 LT4363 高壓浪涌抑制器 (圖 2)。我們之所以稱這款 IC 是一種線性浪涌抑制器,是因為其操作與線性穩(wěn)壓器類似。

          圖 2:具電流限制的 LT4363 浪涌抑制器

          在正常操作情況下,一個外部 N 溝道 MOSFET 被驅動至全通,并充當一個具非常小電壓降的傳輸器件。如果輸出電壓上升至高于由 FB 引腳上的電阻分壓器設定的穩(wěn)壓值,MOSFET 就調節(jié) OUT 引腳上的電壓,從而使負載電路能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生期間繼續(xù)運行。

          SNS 和 OUT 引腳之間的可選電阻器用來控制過流事件,電流限制環(huán)路控制 MOSFET 上的柵極電壓,以將電阻器兩端的檢測電壓限制到 50mV。

          無論過壓還是過流事件都會啟動一個電流源給連至 TMR 引腳的電容器充電。充電電流與輸入至輸出電壓差有關,以使定時器周期隨著日益嚴重的故障而縮短,從而確保 MOSFET 保持在其安全工作區(qū)之內。

          開關浪涌抑制器

          線性浪涌抑制器為需要高達約 4A 電流的系統(tǒng)提供了一種非常出色的解決方案,當超出這個電流范圍時,該電路有效穿越長時間浪涌的能力會受到 MOSFET 安全工作區(qū)的限制。對于較大的電流,通過采用專用的開關穩(wěn)壓器技術如今可提供一種更有效的解決方案,在該技術中,限制主要變成了系統(tǒng)熱質量和相關的最大結溫考慮因素之一。

          圖 3:LTC7860 高效率開關浪涌抑制器

          LTC7860 專為用作高效率開關浪涌抑制器和 / 或輸入浪涌電流限制器而設計(圖3)。在正常操作期間,LTC7860 處于壓差或 SWITCH-ON 模式,并持續(xù)驅動外部 MOSFET,從而將輸入電壓傳遞至輸出。

          LTC7860 在啟動或響應輸入過壓或輸出短路事件時切換進入 PROTECTIVE PWM (保護性PWM) 模式,輸出電壓調節(jié)至安全值,從而使負載能夠在發(fā)生輸入過壓事件時繼續(xù)正常工作。外部比較器限制電流檢測電阻器兩端的電壓,調節(jié)最大輸出電流,以針對過流故障提供保護。

          可調定時器限制 LTC7860 可用于過壓或過流調節(jié)的時間。當定時器到期時,外部 MOSFET 斷開,直到 LTC7860 經(jīng)過冷卻期后重啟為止。通過在功率損耗很高時嚴格限制處于 PROTECTIVE PWM 模式的時間,可以針對正常工作情況優(yōu)化組件和熱量設計,使組件和設計方案能夠在發(fā)生高壓輸入浪涌和 / 或過流故障時安全地工作。還可以增加一個 PMOS 以提供電池反向保護。

          通過給 LTC7860 的電源偏置增加一個簡單的并聯(lián)穩(wěn)壓器,就可以將VIN 至 SGND 最大范圍從60V擴大到超過 200V。

          效率比較

          就上述 LT4363 這類線性浪涌抑制器和 LTC7860 開關浪涌抑制器而言,一旦開始調節(jié),功率損耗就會顯著上升。在線性浪涌抑制器中,功率損耗是起調節(jié)作用的 MOSFET 之功耗。而在高效率浪涌抑制器或開關浪涌抑制器中,內部功率損耗由轉換效率決定。

          由于功率損耗降低,因此與同級別的線性解決方案相比,開關浪涌抑制器將允許更高的輸出電流和功率級別。在開關浪涌抑制器中,內部浪涌功率損耗會比正常功率損耗增加 10 倍之多。如果停留在 PWM 模式調節(jié)的時間受限,則運行功率會超越穩(wěn)態(tài)操作中所能實現(xiàn)的水平。

          浪涌抑制器保護的結果是,下游組件可具有較低的額定電壓,但在高 VIN 降壓型穩(wěn)壓器可用時,那為什么不使用其中一款而免除保護電路呢? 雖然這或許很吸引人,但是此類降壓型穩(wěn)壓器電路將需要針對最壞情況而確定的組件,并將必需采取顯著增多的散熱措施。另外,這也許還會把上游電源置于容易遭受輸出短路故障損壞的境地。

          MIL-STD-1275 要求和性能

          在軍用車輛應用中,LTC7860 保護采用 28V 車輛電源總線工作的設備,并用評估電路板進行了測試。

          MIL-STD-1275 版本 E 定義了各種電源變化情況,從穩(wěn)態(tài)工作到啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波,并針對每一種情況規(guī)定了要求,表 1 概述了這些情況。

          表 1:MIL-STD-1275E 要求和 LTC7860 性能

          凌力爾特之前開發(fā)的演示電路 DC2150A-C 也提供線性浪涌抑制器解決方案,該解決方案滿足之前的 MIL-STD-1275 修訂版 D 規(guī)范的要求。

          結論

          專用浪涌抑制器 IC 為無源保護電路提供了卓越的性能,有助于滿足未來系統(tǒng)減小尺寸、重量和功率的要求。

          線性模式浪涌抑制器提供了具備低插入損耗的出色解決方案,適合輸出電流高達 4A 左右的系統(tǒng)。開關浪涌抑制器將輸出電流能力擴展到 4A 以上,同時解決方案尺寸很小,效率很高。



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