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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 可控硅光控開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)方案分享

          可控硅光控開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)方案分享

          作者: 時(shí)間:2018-08-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          是工程師們?cè)谄綍r(shí)的過(guò)程中,常常用到的一種電路結(jié)構(gòu),其相對(duì)簡(jiǎn)單且適用范圍廣泛的優(yōu)勢(shì),讓這種廣受好評(píng)。在今天的電路分享中,我們將會(huì)為大家分享一種光控設(shè)計(jì)方案,下面就讓我們一起來(lái)看看吧。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/386883.htm

          首先我們需要了解的,是光控開(kāi)關(guān)電路的具體含義。首先來(lái)看光控電路的定義,這種電路是利用光線的變化,對(duì)工作狀態(tài)進(jìn)行控制的電路,其核心是光敏元件,再加入放大電路和控制電路而組成,主要利用的是半導(dǎo)體的光敏特性。在沒(méi)有光照時(shí),呈高阻狀態(tài),稱(chēng)為暗阻。有光時(shí)呈低阻狀態(tài),稱(chēng)為亮阻。亮阻與暗阻的差距越大,說(shuō)明這個(gè)光敏電阻對(duì)光線的反應(yīng)越靈敏。

          在本方案中,我們所設(shè)計(jì)的這一可控硅光控開(kāi)關(guān)電路,在設(shè)計(jì)構(gòu)思上選擇采用的感光元件是光敏二極管。它利用PN結(jié)反向偏置時(shí),在光線照射下,反向電流將由小變大的原理制作而成??刂齐娐穭t選用BT151-500R可控硅作為控制元件,它能通過(guò)小電流小電壓控制大電流大電壓。元件選擇方面,我們選擇使用的可控硅元件型號(hào)為BT151-500R,同時(shí)還選擇使用穩(wěn)壓二極管、半導(dǎo)體器件IN4007、光敏電阻、三極管9031來(lái)完成這一光控電路的設(shè)計(jì)。

          工作原理

          在本方案中,我們所設(shè)計(jì)的這一可控硅光控開(kāi)關(guān)電路的電路圖如圖1所示。當(dāng)這一電路處于正常工作狀態(tài)下時(shí),220V交流電通過(guò)燈泡DS1及整流全橋后,變成直流脈動(dòng)電壓,作為正向偏壓,加在可控硅Q1及R支路上。白天亮度大于一定程度時(shí),光敏二極管D3呈現(xiàn)底阻狀態(tài),即小于1KΩ,使三極管Q3截止,其發(fā)射極無(wú)電流輸出,單向可控硅Q1因無(wú)觸發(fā)電流而阻斷。此時(shí)流過(guò)燈泡DS1的電流≤2.2mA,燈泡DS1不能發(fā)光。電阻R1和穩(wěn)壓二極管D2使三極管Q3偏壓不超過(guò)6.8V,對(duì)三極管起保護(hù)作用。當(dāng)亮度小于一定范圍時(shí),光敏二極管D3呈現(xiàn)高阻狀態(tài),使三極管Q3正向?qū)?,發(fā)射極約有0.8V的電壓,使可控硅Q1觸發(fā)導(dǎo)通,燈泡DS1發(fā)光?;瑒?dòng)變阻器R5是亮、暗實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的亮度。

          圖1 可控硅光控電路工作原理圖

          整流電路設(shè)計(jì)

          在本方案中,我們同樣需要為這一可控硅光控開(kāi)關(guān)電路提供整流保護(hù)措施,我們所設(shè)計(jì)的這一整流電路由4個(gè)IN4007整流管組成,分別為VD1、VD2、VD3、VD4,其電路系統(tǒng)如下圖圖2所示。

          圖2 可控硅光控電路中的整流電路圖

          在圖2所提供的整流電路圖中,我們可以看到,在正半周電路正常工作的狀態(tài)下,當(dāng)T1次級(jí)線圈上端為正半周期間,上端的正半周電壓同時(shí)加在整流二極管VD1負(fù)極和VD3正極,給VD1反向偏置電壓而使之截止,給VD3加正向偏置電壓而使之導(dǎo)通。與此同時(shí),T1次級(jí)線圈下端的負(fù)半周電壓同時(shí)加到VD2負(fù)極和VD4正極,給VD4是反向偏置電壓而使之截止,給VD2是正向偏置電壓而使之導(dǎo)通。因此,T1次級(jí)線圈上端為正半周、下端為負(fù)半周期間,VD3和VD2同時(shí)導(dǎo)通。

          而在負(fù)半周電路中,當(dāng)T1次級(jí)線圈兩端的輸出電壓變化到另一個(gè)半周時(shí),此時(shí)次級(jí)線圈上端為負(fù)半周電壓,下端則為正半周電壓。此時(shí),次級(jí)線圈上端的負(fù)半周電壓加到VD3正極,給VD3反向偏置電壓而使之截止,這一電壓同時(shí)加到VD1負(fù)極,給VD1正向偏置電壓而使之導(dǎo)通。與此同時(shí),T1次級(jí)線圈下端的正半周電壓同時(shí)加到VD2負(fù)極和VD4正極,給VD2反向偏置電壓而使之截止,給VD4正向偏置電壓而使之導(dǎo)通。因此,當(dāng)T1次級(jí)線圈上端為負(fù)半周、下端為正半周期間,VD1和VD4同時(shí)導(dǎo)通。

          以上就是本文針對(duì)一種可控硅光控開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)方案,所進(jìn)行的分享和簡(jiǎn)要分析,希望能夠?yàn)楦魑还こ處煹脑O(shè)計(jì)研發(fā)工作提供一定的幫助和借鑒。



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