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          一種1~3 GHz無(wú)電感型寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2018-08-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著衛(wèi)星通信、調(diào)頻技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展,對(duì)前端特別是低噪聲的工作頻帶提出了更高的要求,傳統(tǒng)的窄帶低噪聲越來(lái)越受到限制。低噪聲位于的最前端,根據(jù)通道噪聲系數(shù)的理論,低噪聲放大器的增益和噪聲系數(shù)對(duì)整個(gè)通道的噪聲系數(shù)起著及其重要的作用。基于CMOS 工藝的低噪聲放大器經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,其噪聲系數(shù)及增益都已經(jīng)達(dá)到了很高的水平,但是其大多需要采用無(wú)源電感器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。眾所周知,基于CMOS 工藝的電感不僅占用較大的芯片面積,而且其品質(zhì)因數(shù)性能也通常不會(huì)超過(guò)10。同時(shí)在一些大規(guī)模應(yīng)用的場(chǎng)合,在管芯的鍵合、封裝時(shí)由于鍵合線的長(zhǎng)度不可控、寄生電容不同等原因,傳統(tǒng)的片外匹配電路通常會(huì)發(fā)生較大的變化,電路性能受到較大的影響。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/387516.htm

          本文設(shè)計(jì)一種集成度高、匹配方便的寬帶低噪聲放大器,而基于寬帶匹配的pH 甚至fH 級(jí)的電感在現(xiàn)有的集成電路制造及鍵合水平下將是很嚴(yán)重的瓶頸問(wèn)題。而且運(yùn)用較多的電感、電容也是其目前不能大規(guī)模應(yīng)用的重要原因,所以研究基于CMOS工藝的無(wú)電感型寬帶低噪聲放大器具有重 要的學(xué)術(shù)價(jià)值和應(yīng)用價(jià)值。

          1 結(jié)構(gòu)分析

          低噪聲放大器是無(wú)線接收系統(tǒng)中第一個(gè)模塊,影響著整個(gè)系統(tǒng)的噪聲性能和靈敏度等參數(shù)。隨著超寬帶技術(shù)的發(fā)展,寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)已成為當(dāng)前設(shè)計(jì)的一個(gè)熱點(diǎn)。根據(jù)目前國(guó)內(nèi)外發(fā)表的相關(guān)文獻(xiàn),當(dāng)前寬帶低噪聲放大器的結(jié)構(gòu)大致有帶通濾波網(wǎng)絡(luò)匹配和電阻負(fù)反饋2 種結(jié)構(gòu)。

          帶通濾波網(wǎng)絡(luò)匹配結(jié)構(gòu)主要是基于傳統(tǒng)的源級(jí)負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器,在輸入端口處采用帶通濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)寬帶乃至超寬帶匹配來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入S 參數(shù)的匹配。在低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)時(shí),此結(jié)構(gòu)是窄帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)中提供阻抗和噪聲同時(shí)匹配的經(jīng)典技術(shù)。因此,要在寬帶內(nèi)獲得良好的輸入匹配及平坦的增益,就必須在輸入端加入較高階數(shù)的LC帶通濾波器以展寬低噪聲放大器的工作頻帶。由于該匹配網(wǎng)絡(luò)為同頻帶的帶通濾波器,通常需要2 階乃至3 階的帶通濾波器,這就意味著需要在芯片內(nèi)部需要多個(gè)電感,這就會(huì)導(dǎo)致 芯片面積較大。同時(shí),為了達(dá)到輸入匹配,該結(jié)構(gòu)引入了源級(jí)負(fù)反饋電感,電感值通常較少,封裝參數(shù)將會(huì)對(duì)源級(jí)負(fù)反饋電感造成很大的影響。該源級(jí)負(fù)反饋電感一般取值較小,在片實(shí)現(xiàn)時(shí)很難保證精度,從而影響輸入端的匹配。

          電阻負(fù)反饋型低噪聲放大器由于其占用面積小、噪聲系數(shù)低以及良好的線性度性能等特點(diǎn),在無(wú)電感型寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)中存在較大的優(yōu)勢(shì)。電阻負(fù)反饋型低噪聲放大器可以提供良好的寬帶匹配和平坦的增益。但是其負(fù)反饋會(huì)導(dǎo)致噪聲性能的惡化和最大可用增益的降低,電阻負(fù)反饋型低噪聲放大器原理圖如圖1 所示。

          圖1 電阻負(fù)反饋型低噪聲放大器原理

          在電阻負(fù)反饋型低噪聲放大器中,輸入阻抗由反饋電阻和反饋放大器的閉環(huán)增益的比值決定。反饋電阻Rf的值通常遠(yuǎn)大于源阻抗Rs。因此,為了匹配低的源噪聲電阻( 典型值為50 Ω) ,反饋電阻一般在幾百歐姆的量級(jí),這一點(diǎn)也加重了噪聲指數(shù)的升高。在電阻負(fù)反饋的低噪聲放大器中,反饋電阻直接與輸出相連,需要在噪聲系數(shù)與輸入阻抗匹配直接做出一些折中,通常在反饋電阻與輸出端口之間增加緩沖電路來(lái)減少它們之間的影響,其電路原理如圖2 和圖3 所示。

          圖2 傳統(tǒng)的負(fù)反饋型寬帶低噪聲放大器

          圖3 改進(jìn)的負(fù)反饋型寬帶低噪聲放大器

          M2、M3 共同組成源跟隨電路,起著隔離輸入輸出端口,減小反饋電阻與輸出電路的作用,同時(shí)該源跟隨器還起著增大輸出驅(qū)動(dòng)能力的作用,其輸出電阻為1 /gm2。合理地調(diào)節(jié)M2 的寬長(zhǎng)比及偏置電流,可以使其輸出阻抗匹配至50 Ω。



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