單芯片F(xiàn)RAM存儲解決方案成為嵌入式設(shè)計的理想選擇

選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014次)和抗輻射特性，非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用。

在前不久的工業(yè)計算機與嵌入式系統(tǒng)展上，富士通半導體公司(Fujitsu)市場部高級產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者，F(xiàn)RAM是嵌入式領(lǐng)域一個比較有優(yōu)勢的產(chǎn)品，對設(shè)計有幫助，很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲器。

FRAM使得設(shè)計產(chǎn)品無需配備后備電池和掉電保護電路。單芯片FRAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小，減少維護和保養(yǎng)成本，滿足環(huán)保、低功耗等要求。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數(shù)據(jù)實時頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對產(chǎn)品進行射線消毒的領(lǐng)域。這些優(yōu)點都非常適合便攜式醫(yī)療器械應(yīng)用。

對于一些工業(yè)和通信類應(yīng)用，工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案，靠電容維持SRAM運作，然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中。這樣，相對單一的鐵電存儲器方案，系統(tǒng)的復雜度增加了很多，而且這也存在一定的風險。選用SRAM加電池來存儲，同樣沒有多少優(yōu)勢，而且電池也存在一定使用壽命;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下，電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決，并且可以減少不必要的風險。

在醫(yī)療領(lǐng)域，F(xiàn)RAM的最大優(yōu)點在于它的抗輻射性。而對于工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用(比如電表和流量計應(yīng)用)，它們對數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁(ms級)，F(xiàn)RAM的優(yōu)點在于高耐久性。對于汽車應(yīng)用，考慮到駕車的安全性，在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來。如果存儲器存儲速度不夠快，最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應(yīng)用。

對于產(chǎn)品性能參數(shù)方面(包括讀寫速度、功耗等)，該公司的FRAM都能基本達到客戶要求。同時，富士通的FRAM今后會越做越寬(不同的電壓和接口類型等)，并推出更多大容量的產(chǎn)品。很多工程師在設(shè)計產(chǎn)品時需要用到很大容量的存儲器，但是如果FRAM容量太大導致成本無法接受的話，有一種解決方法是采用小容量的FRAM存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)，將不太重要的數(shù)據(jù)存儲到FLASH或EEPROM中，這樣既解決了成本問題，安全性又能得到保障。