單相PWM變換器傳導(dǎo)EMI的分析與抑制

在開(kāi)關(guān)電源中，儲(chǔ)能元件(變壓器、電感和電容)的尺寸隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加成近似線性的減小。因而，高度集成開(kāi)關(guān)電源一般需要高開(kāi)關(guān)頻率和快速半導(dǎo)體設(shè)備。但是，高開(kāi)關(guān)頻率將伴隨電壓和電流的變化率(dv/dt和di/dt)增加，這將直接影響開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性。與此同時(shí)，EMI濾波器的效能會(huì)因?yàn)楦哳l寄生參數(shù)的影響而削弱，導(dǎo)致不能有效地濾出電源回路產(chǎn)生的高頻EMI噪聲。近年來(lái)，隨著EMC標(biāo)準(zhǔn)的不斷嚴(yán)格，對(duì)EMI的考慮也變得非常重要。目前，關(guān)于PWM變換器的EMI噪聲的理論分析的文章有很多。但是，對(duì)于EMI噪聲的產(chǎn)生和傳導(dǎo)途徑并沒(méi)有比較全面而深入的研究。因而，EMI噪聲，尤其是經(jīng)過(guò)旁路電容流向系統(tǒng)地的共模干擾電流很值得我們研究。

本文通過(guò)寄生電感和電容來(lái)建立變換器電路模型，對(duì)共模和差模干擾的基本模型進(jìn)行了分析。詳細(xì)講述了降低PWM變換器EMI的CM和DM濾波器的設(shè)計(jì)方法。

一、變換器的高頻寄生參數(shù)模型

圖1為基于IGBT的全橋PWM變換器電路。為了簡(jiǎn)化分析過(guò)程，變壓器沒(méi)有在圖1中表示出來(lái)。為了對(duì)EMI濾波器進(jìn)行預(yù)測(cè)和計(jì)算，必須建立準(zhǔn)確的高頻模型。其模型具體包括元器件模型、濾波器模型和導(dǎo)線模型。

圖1PWM變換器電路圖

1.元器件模型

圖2為完整的IGBT等效電路。由圖可知，電路包括了內(nèi)部和外部導(dǎo)線電感和IGBT集電極與模型金屬底座之間的電容。這些電容導(dǎo)致高頻漏電流流向連接散熱設(shè)備的金屬底座。散熱設(shè)備一般是良好接地以確保安全。IGBT設(shè)備是通過(guò)小的電子絕緣材料安放在金屬底座上。為了使溫度電阻盡可能小，其絕緣層要盡可能的薄，并且IGBT集電極與模型金屬底座之間的旁路電容要盡可能的大。

圖2IGBT寄生參數(shù)等效電路

2.濾波器模型

濾波器效率不僅受濾波器的類(lèi)型影響，也受濾波器組成阻抗與附近器件阻抗不同的影響。為了提高濾波器效率，本身的阻抗與附近器件阻抗必須有很大的不同。例如，如果濾波器有較小的容性阻抗，較多的高頻噪聲電流將通過(guò)。如果濾波器有較大的感性阻抗則較多的高頻噪聲電壓將被分開(kāi)。但是，濾波器在高頻狀態(tài)下的阻抗往往不是我們所想象的這樣的。

圖3濾波器寄生參數(shù)

有很多寄生參數(shù)將對(duì)濾波器產(chǎn)生影響，首先討論電容的寄生參數(shù)對(duì)濾波器的影響。圖3(a)是一個(gè)簡(jiǎn)單的等效電路，電感Llead為電路的導(dǎo)線電感，Rs為等效電阻。圖3b是電容阻抗大小的波德圖，頻率 f0()是電容的自適應(yīng)頻率。當(dāng)頻率從dc逐漸增大時(shí)，電容C的阻抗將線性減小-20dB/dec，在f0以上，電感的阻抗將線性增大+20db/dec。因此，如果電容的f0越大，導(dǎo)線電感將越小，則對(duì)于固定電容值的電容將有更好的效果。為了提高電容的效能，電容的引腳應(yīng)盡可能的短。如果將電容值增大不但不能減小EMI，反而增加電路的EMI，其自適應(yīng)頻率是主要的原因。典型的頻率如下：電解電容為1KHz，陶瓷電容為100KHz，聚脂薄膜電容為1MHz，塑膠電容為10MHz，聚脂陶瓷電容為100MHz。

電感上的寄生參數(shù)對(duì)EMI濾波器的影響也是很大的。典型的等效電路如圖3(c)所示。Cpara和Rpara 表示電感的寄生電容和等效串聯(lián)電阻。圖3(d)是阻抗大小的波德圖。在小于f1時(shí)電感表現(xiàn)為電阻性，在f1與f0()表現(xiàn)為感性，大于f0表現(xiàn)為容性。因此可以等出結(jié)論，電感f0越大，頻率帶越寬。類(lèi)似于電容，寄生電容值越小，電感將有更好的性能。

3.導(dǎo)線模型

導(dǎo)線模型包括支線和母線。支線有導(dǎo)線電感，大約為1uH/m。如果支線較短，其寄生電容可以不用考慮。因此，連結(jié)線應(yīng)該是越短越好。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，當(dāng)輸入輸出電纜長(zhǎng)度超過(guò)5m時(shí)，寄生電容將不能忽視。母線經(jīng)常是用于聯(lián)結(jié)直流電源與兩IGBT引腳。其引線電感L一般比較小，但di/dt常常比較大，因此會(huì)非常大，這就是導(dǎo)致差模干擾的主要原因。

二、EMI噪聲

EMI噪聲主要包括兩個(gè)部分：差模干擾和共模干擾。差模干擾電流一般是由導(dǎo)線流向中性點(diǎn)或者由中性點(diǎn)流向?qū)Ь€，共模干擾電流通常流入電路與保護(hù)地之間的寄生電容上[4]。由于輸入端一般加有輸入差模濾波器，共模EMI一般比差模EMI要大很多。