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          逐步講解 CCM反激變壓器的計算分析

          作者: 時間:2018-08-28 來源:網(wǎng)絡 收藏

          簡介:是電感電流連續(xù)模式的簡稱,目前采用這種模式的正在逐漸流行起來。無論哪種類型的,計算方面的問題永遠是最復雜的,網(wǎng)絡上關于電路設計和硬件方面的資料很多,但是對計算部分進行詳解的文章卻比較少,小編特意將達人的經(jīng)驗總計為文章,幫助大家掌握模式的計算。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/387839.htm

          在這篇文章當中我們將主講模式變換器的各類計算公式,以及波形。

          基本參數(shù)

          最小直流電壓Vdcmin:100V開關頻率F:65KHZ

          最大直流電壓Vdcmax:375V反射電壓VOR:120V

          輸出電壓Vo:12V原邊開關管壓降Vdson:0.5V

          輸出功率Po:100W(8.33A)輸出整流管壓降Vd1:0.5V

          變換效率η:0.9VCC整流管壓降Vd2:0.5V

          次級匝數(shù)Ns:7T磁芯:EER35/40

          注:1、非實際產(chǎn)品,僅做舉例。

          因為HVDC電壓的大小與Cin、溫度密切相關,故不定義Vacmin;

          3、原邊電流的計算,其實是參考了《開關電源手冊》,見p156--p180,110W反激變壓器設計,原文中定義的原邊電流,IP2=3*IP1,即KRP=0.66。本文中用X、Y、Z來描述原邊電流,即固定X=10,Y為任意值,KRP也就為任意值。

          4、損耗的計算參考了《開關電源仿真》p542,90W反激變壓器設計。

          5、各種公式再陸續(xù)補充、修正;

          6、計算結果利用了PI的電子數(shù)據(jù)計算表格核算,代入相關關鍵參數(shù)即可。

          圖1


          注:因為VDS的峰值電壓與漏感有密切關系,故計算式中沒有包括尖峰電壓;

          原邊有效電流的計算公式取自于《開關電源仿真》。

          需要注意的是,這里TON、TOFF標反了,由于影響不大所以暫時就不改了,下一步是原邊的各種損耗計算。

          注意第7步之后,有兩種計算方法:

          第一種方法是先計算出峰值電流、紋波電流,再通過紋波電流來計算出原邊電感量,公式:LP=V*TON/Ip。

          第二種計算方法是,先計算出原邊電感量,然后通過紋波電流計算出峰值電流,公式:Ip=Ia/Dmax+△i/2

          (第二種方法見《變壓器電感器設計手冊》p293----連續(xù)模式隔離BUCK-BOOST變換器設計)


          第14--17步說明:

          1、這一部分內(nèi)容,選自《開關電源仿真》,深入研究請參考原文。

          2、不同的資料計算方法稍有不同,需要再查資料分析分析。

          (關于開關損耗和導通損耗,上面的計算方法應該是正確的,參考《精通開關電源》第5章。最有可能會出現(xiàn)的問題是,測量的準確性如何,因為這會導致計算值與實際值相差2--5倍。)

          磁性元器件計算或者是次級參數(shù)計算。

          RCD緩沖電路有兩個作用,第一個是限制半導體兩端電壓的上升速率或者是減小EMC干擾,第二個是鉗位,要明白安裝RCD緩沖的目的是什么。

          如果僅僅是鉗位,問題就簡單了,只需要把“多余”的能量儲存在足夠大的電容中,然后通過合適電阻的去消耗它,這里面沒有太多的學問。普通的中小功率ACDC變換器,鉗位電容選擇2200PF--0.1UF都是可以的。

          漏感中儲存的能量越大,開關頻率越低,鉗位電容的容量肯定會越大。

          另外,鉗位電容對材質、體積有一些要求,因為會發(fā)熱。電阻的計算也很簡單,繞組或者半導體兩端會有一個平臺電壓,直接計算就可以了。電阻的阻值決定了功耗,電阻上到底要消耗多少功率,取決于漏感中存儲的能量以及鉗位電壓的幅值。

          例:100W的反激變換器,1%漏感,理論上你至少要消耗掉1W的功率,采用3W的電阻;

          100W的反激變換器,2%漏感,理論上至少要消耗掉2W的功率,采用6W的電阻;

          盡管有一部分能量會通過MOS、的開關損耗消耗掉,但R上的損耗大概就是這個比例,不會相差太大。需要注意,鉗位電壓和的開關速度、MOS管的驅動能力等等都有很大的關系。

          如果RCD消耗的功率特別大,應該是別地地方出了問題??刂骗h(huán)路的問題很難說明白,建議參考《開關電源手冊》第三部分,第八章,特別是P435頁提到的方法三(最后兩行文章)。這里多說一句,在分析了眾多大師的作品之后,發(fā)現(xiàn)他們似乎非常喜歡這么干。

          另外一點,就是關于電容的計算方法,一般來說有三種:


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