解析替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應(yīng)用

薄膜介質(zhì)的質(zhì)量、金屬化鍍層質(zhì)量、電容器設(shè)計(jì)及制造過(guò)程工藝決定了金屬化電容器自愈特性的好壞。Faratronic生產(chǎn)的DC-Link電容用的薄膜介質(zhì)主要為OPP薄膜。

2.2 電解電容

電解電容使用的介質(zhì)為鋁經(jīng)過(guò)腐蝕形成的氧化鋁，介電常數(shù)為8~8.5,工作的介電強(qiáng)度約為0.07V/A(1μm=10000A)，按照計(jì)算對(duì)于900Vdc的電解電容需要的厚度為12000A.然而要達(dá)到這樣的厚度是不可能的，因?yàn)闉榱双@得好的儲(chǔ)能特性所用鋁箔要進(jìn)行腐蝕形成氧化鋁膜，表面會(huì)形成許多凹凸不平的曲面，鋁層厚度會(huì)降低電解電容的容量系數(shù)(比容)。另一方面，低電壓的電解液電阻率為150Ωcm,高電壓(500V)的電解液的電阻率則達(dá)到5kΩcm.

電解液較高的電阻率限制了電解電容所能承受的有效值電流，一般為20mA/μF.

基于上述原因電解電容的設(shè)計(jì)最高電壓典型值為450V(有個(gè)別廠家設(shè)計(jì)600V)。

因此，為了獲得更高的電壓必須用電容器串聯(lián)實(shí)現(xiàn)，然而因各個(gè)電解電容的絕緣電阻存在差異，為了平衡各串聯(lián)電容的電壓，各電容必須連接一個(gè)電阻。此外，電解電容為有極性器件，當(dāng)施加反向電壓超過(guò)1.5倍Un時(shí)，會(huì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。當(dāng)施加的反向電壓時(shí)間足夠長(zhǎng)，電容將發(fā)生爆炸，或冒頂電解液將外溢。為了避免該現(xiàn)象發(fā)生，使用的時(shí)候要在每個(gè)電容旁并上一個(gè)二極管。除此之外，電解電容的耐電壓沖擊特性，一般為1.15倍Un,好的可以達(dá)到1.2倍Un.這樣設(shè)計(jì)師在使用時(shí)就不但要考慮穩(wěn)態(tài)工作電壓大小，而且還要考慮其沖擊電壓大小。

綜上所述，可以得出薄膜電容與電解電容如下特性對(duì)比表，見(jiàn)表1.

3.運(yùn)用分析

DC-Link電容作為濾波器要求大電流和大容量設(shè)計(jì)。如圖3提到的新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)就是一個(gè)例子。在該運(yùn)用中電容起到退耦作用，電路特點(diǎn)工作電流大。薄膜DC-Link電容具有較大優(yōu)勢(shì)，能承受較大的工作電流(Irms)。以50~60kW新能源汽車參數(shù)為例，參數(shù)如下：工作電壓330Vdc,紋波電壓10Vrms,紋波電流150Arms@10KHz.

那么最小電容量計(jì)算為：

這樣對(duì)于薄膜電容設(shè)計(jì)很容易實(shí)現(xiàn)。假設(shè)采用電解電容，如果考慮20mA/μF,那么為了滿足上述參數(shù)， 計(jì)算電解電容最小的容值為：

這樣需要多個(gè)電解電容并聯(lián)獲得該容值。

在過(guò)電壓運(yùn)用場(chǎng)合，如輕軌、電動(dòng)巴士、地鐵等，考慮這些動(dòng)力通過(guò)受電弓連接到機(jī)車集電弓，在運(yùn)輸行進(jìn)過(guò)程中受電弓與集電弓的接觸是間續(xù)的。當(dāng)兩者不接觸時(shí)通過(guò)DC-Link電容進(jìn)行支撐供電，當(dāng)兩者接觸恢復(fù)時(shí)過(guò)電壓就會(huì)產(chǎn)生。最壞的情況是斷開(kāi)時(shí)由DC-Link電容完全放電，此時(shí)放電電壓等于受電弓電壓，當(dāng)恢復(fù)接觸時(shí)，其產(chǎn)生的過(guò)電壓幾乎就是額定工作時(shí)的2倍Un.對(duì)于薄膜電容DC-Link電容可以處理不需額外考慮。如果采用電解電容，過(guò)電壓為1.2Un .以上海地鐵為例，Un=1500Vdc,對(duì)于電解電容要考慮電壓為：那么要用6個(gè)450V的電容進(jìn)行串聯(lián)連接。若采用薄膜電容設(shè)計(jì)在600Vdc到2000Vdc,甚至3000Vdc都容易實(shí)現(xiàn)。此外，在電容完全放電情況下能量在兩電極間形成短路放電，產(chǎn)生很大沖擊電流通過(guò)DC-Link電容，通常電解電容很難滿足要求。

另外，相對(duì)于電解電容DC-Link薄膜電容器通過(guò)設(shè)計(jì)可以達(dá)到很低的ESR(通常低于10mΩ，更低的1mΩ)和自感LS(通常低于100nH,有的可以低于10或20nH)。這樣在運(yùn)用時(shí)DC-Link薄膜電容器可直接安裝到IGBT模塊，可以把母線整合到DC-Link薄膜電容器中，因此采用薄膜電容器則不再需要專門(mén)的IGBT吸收電容，為設(shè)計(jì)者節(jié)約了一筆不小的費(fèi)用。表2和表3為Faratronic C3A和C3B部分產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)。

4.結(jié)論

作為直流支撐濾波用電容，DC-Link 電容早期考慮到成本及尺寸因素大部分選擇電解電容。然而電解電容受到耐壓、電流承受能力(相對(duì)薄膜電容ESR高很多)等因素的影響，為了獲得大容量和滿足高壓使用要求，則必須要用多個(gè)電解電容進(jìn)行串、并聯(lián)。另外考慮到電解液材料的揮發(fā)，所以要定期進(jìn)行更換，新能源運(yùn)用一般要求產(chǎn)品壽命要達(dá)15年，那么在這段時(shí)間內(nèi)必須更換兩到三次，因而在整機(jī)售后服務(wù)方面存在不小的費(fèi)用和不方便性。隨著金屬化鍍膜技術(shù)及薄膜電容器技術(shù)的發(fā)展，采用安全膜蒸鍍技術(shù)已經(jīng)可以用超薄OPP膜(最薄2.7μm,甚至2.4μm)生產(chǎn)出電壓450V到1200V甚至更高電壓的大容量直流濾波電容。另一方面通過(guò)DC-Link電容與母排整合，使得逆變器模塊設(shè)計(jì)更加緊湊，大大降低了電路的雜散電感使電路更加優(yōu)化。

以此同時(shí)，薄膜電容制作成本在不斷下降，相比電解電容更凸顯其經(jīng)濟(jì)性，在要求工作電壓高、承受高紋波電流(Irms)、有過(guò)電壓要求、有電壓反向現(xiàn)象、處理高沖擊電流(dV/dt)以及長(zhǎng)壽命要求的電路設(shè)計(jì)中，選擇DC-Link薄膜電容替代電解電容將成為設(shè)計(jì)者今后設(shè)計(jì)選擇的一種趨勢(shì)。