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          支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

          作者: 時(shí)間:2018-08-28 來源:英飛凌 收藏

          2018827日,德國慕尼黑訊——更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達(dá)到最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求:用于照明、智能電表、移動(dòng)充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種解決方案能實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率,減少用料并降低總生產(chǎn)成本。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/391264.htm

          950 VCoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導(dǎo)通電阻,能實(shí)現(xiàn)更高密度的設(shè)計(jì)。此外,出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)。與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的P7系列其他成員類似的是,該器件集成齊納二極管ESD保護(hù)機(jī)制。這可以提高裝配生產(chǎn)量,從而降低成本,并減少與ESD有關(guān)的生產(chǎn)問題。

          950 VCoolMOS P7能使效率提升達(dá)1%,并且MOSFET溫度得以降低2 ?C10 ?C,實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。相比前幾代CoolMOS系列而言,該器件還將開關(guān)損耗降低達(dá)58%。較之市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)技術(shù),這方面的性能提升超過50%。

          950 VCoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAKSOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件(THD)變?yōu)楸砻尜N裝器件(SMD)。

          關(guān)于英飛凌

          英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來。2017財(cái)年(截止930日),公司的銷售額達(dá)71億歐元,在全球范圍內(nèi)擁有約37,500名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺(tái)交易市場(chǎng)OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。

          英飛凌中國

          英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國市場(chǎng)。自199510月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約2000名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。




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