高穩(wěn)定?寬溫單片(或獨石)電容器用介質(zhì)陶瓷材料

注：1)△C／C最大值指在-55～+145℃之間容量相對于25℃時變化率最大值；
2)如若按獨石電容器制作方法，通過二次配料(瓷粉和乙基纖維素等)·流延制膜(膜厚約0．5 mm)·內(nèi)電極印刷(銀鈀電極漿料)·85℃，280 kg／m2等靜壓(11層)·650+50℃排膠·1350+20℃燒成2．5 h，冷卻再制端電極，待測。以此方法制作的獨石電容器其特性參數(shù)與表一圓板式電容器性能一致。

3 研制成果與改進方向
1)該體系介質(zhì)材料無鉛、無鉍，既符合環(huán)保要求又具備很好的穩(wěn)定性(避免了制作電容器時與電極漿料中的鈀發(fā)生反應)很好地滿足了高端客戶的要求。
2)工作溫度范圍寬，-55～+145℃幾乎是普遍材料-25+85℃的兩倍，具有非常好的應用價值。
3)tgδ≤100x10-4屬低損耗系列，擊穿電壓≥>9 kV／mm，均優(yōu)于常規(guī)介質(zhì)組份性能；
4)介電常數(shù)ε可通過調(diào)整MgO，Nb2O3總二摩爾比(各自1：1)使之很易達到系列化要求，如300；500；1 000；1 500；這無論是對于瓷粉材料還是對電容器的批量生產(chǎn)與管理都具有重要的使用價值，便于大規(guī)模生產(chǎn)。
5)該系列瓷粉所做瓷基體成瓷溫度范圍較寬，很方便批量燒成，不需精確控溫，這是該體系材料又一大優(yōu)勢。
6)通過微量摻雜繼續(xù)改善溫度特性使之溫度范圍拓寬至-55～+185℃同時使△C／C≤±10％之內(nèi)；
7)通過改變MgO·Nb2O5的比例和主輔料的比例進一步完善介電常數(shù)的系列擴充，達100，200，300，500，1 000，1 500，2 000之目標，更好地方便批量系列化生產(chǎn)和使用。

4 結束語
無鉛、無鉍的介質(zhì)陶瓷材料用于制作高穩(wěn)定，寬溫度范圍的單片電容器(或獨石電容器)，是目前電子陶瓷器件研究應用重點。通過理論分析和多年器件研制，經(jīng)過介質(zhì)陶瓷材料配比改進、工藝試驗及批生產(chǎn)等工作，研制成功適用于高精尖電子設備使用的無鉛、無鉍、工作溫度范圍寬、損耗低、介電常數(shù)ε可控、可批量生產(chǎn)的材料組分和工藝方法。對我國無鉛、無鉍的介質(zhì)陶瓷材料研究及生產(chǎn)具有一定的指導意義。