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          差分信號(hào)回流路徑的全波電磁場(chǎng)解析(一)

          作者: 時(shí)間:2018-09-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201809/388685.htm

          4、開(kāi)槽GND1 參考平面其回路場(chǎng)效應(yīng)分析及S 參數(shù)分析

          將參考平面GND1開(kāi)槽,參考平面GND2保持完整,其三維幾何圖形如圖8:

          圖8 參考GND1 平面開(kāi)槽的三維幾何圖形

          導(dǎo)線的兩端定義端口分別為Waveport1 和Waveport2, 端口Waveport1 的激勵(lì)定義為Wave port 阻抗為50 歐姆,差分阻抗為100 歐姆; 端口Waveport1 的邊界條件定義為Waveport 阻抗為50 歐姆,差分阻抗為100 歐姆。場(chǎng)分析時(shí),在整板外圍設(shè)計(jì)為50 C 50 C 40空氣體,將該空氣體的吸收邊界條件定義為Radiation.在HFSS 中,設(shè)定求解的頻率為2.5GHz,最大的ΔS 為0.05,設(shè)置為5%能滿足精度要求而又不需要花費(fèi)太多的時(shí)間,在此基礎(chǔ)上加入間插頻率掃描分析,即定義全波模型適用的頻率范圍,從0.01GHz 掃描5GHz,步長(zhǎng)0.01GHz,誤差2%,進(jìn)行分析計(jì)算。結(jié)果如下圖9:

          圖9 參考平面GND1 開(kāi)槽-S 參數(shù)曲線圖。

          圖10 S 參數(shù)

          如圖10:可以查出:T1 的S11 為0.36357,S21 為0.79713;T2 的S11 為0.382,S21 為0.78853.

          如圖9:T1 和T2 的S21 均不小于-20dB,S11 接近-3dB.回波損耗S11, GND1 開(kāi)槽和完整參考平面相比較,GND1 開(kāi)槽的回波損耗S11(大約在0.37)要比整參考平面的回波損耗S11(大約在0.035)差了一個(gè)數(shù)量級(jí),GND1 開(kāi)槽的情況下信號(hào)有部分能量反射會(huì)源端,致使回波損耗S11 變大。

          由于差分信號(hào)分為奇模方式和耦模方式,對(duì)于差分信號(hào)我們要關(guān)心的S 參數(shù)還有SDD …… DIFFERENTIAL-TO-DIFFERENTIAL PARAMETERSSCC …… COMMON-TO-COMMON PARAMETERS在奇模和耦模的形式下S 參數(shù)的比較。由于插入損耗大那么回波損耗就小。為了使問(wèn)題簡(jiǎn)單話,在此之比較SDD21 和SCC21,即只比較奇模和偶模的插入損耗。在這將完整參考平面與參考平面GND1 開(kāi)槽兩種情況進(jìn)行SDD21 和SCC21 的S 參數(shù)曲線進(jìn)行比較。如圖11 所示:

          圖11 完整參考平面與參考平面GND1 開(kāi)槽-奇模和耦模的S 參數(shù)比較圖

          如圖11 所示,開(kāi)槽對(duì)奇模影響很小,對(duì)耦模影響很大。在奇模情況下的兩個(gè)導(dǎo)體之間存在一個(gè)虛擬的地。當(dāng)奇模信號(hào)的回路不理想時(shí),這個(gè)虛擬的地就可以給信號(hào)提供一定的參考,繼而可以降低因?yàn)榉抢硐牖芈范斐傻膶?duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。而耦模分量沒(méi)有虛擬的地參考回路,在跨越開(kāi)槽區(qū)域時(shí)需繞路而行,增加了耦模分量的回流路徑從而造成耦模分量信號(hào)質(zhì)量的劣化。

          然后進(jìn)行銅箔參考平面的場(chǎng)定義。

          銅箔GND1 參考平面GND1 Polt fields 為Mag_E,結(jié)果如圖12 所示:

          圖12 GND1 平面開(kāi)槽情況下GND1 的電場(chǎng)分布圖

          銅箔GND2 參考平面 Polt fields 為Mag_E,結(jié)果如圖13 所示:

          圖13 GND1 平面開(kāi)槽情況下GND2 的電場(chǎng)分布圖

          將圖6、圖7和圖12、13比較,在GND1開(kāi)槽后,平面GND1和平面GND2的電場(chǎng)能量分布均有較大的差別。電場(chǎng)能量不再完全集中在信號(hào)下方而是在整個(gè)平面上高低不同的電場(chǎng)能量都,但是在信號(hào)正下方電場(chǎng)能量要比整個(gè)平面其它區(qū)域要強(qiáng)。

          (未完待續(xù))


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