紫光：緊握移動(dòng)芯片和5G的突圍機(jī)會(huì)

　　當(dāng)大家都在遺憾摩爾定律失效時(shí)，全球的集成電路在2018年迎來了重大的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，重大市場(chǎng)案例頻出，讓國內(nèi)國際市場(chǎng)都經(jīng)受著不同程度的考驗(yàn)。

　　在本次由國家發(fā)展和改革委員會(huì)高技術(shù)司、國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)與技術(shù)局指導(dǎo)，中國人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展聯(lián)盟(AIIA)主辦的AIIA人工智能開發(fā)者大會(huì)上，紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁，張江實(shí)驗(yàn)室微電子院院長(zhǎng)楚慶將發(fā)表主題演講，通過幾個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)的小故事，透視整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的變局和突破。

　　活動(dòng)前夕，鎂客網(wǎng)獨(dú)家采訪了楚慶。他告訴我們，小故事的背后其實(shí)都是涉及整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的大事，這些事情的發(fā)生是新世界的開始，也可能是舊世界的崩塌。

　　存儲(chǔ)芯片的突破，填補(bǔ)國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)空白

　　談及國內(nèi)集成電路的發(fā)展，總有很多人會(huì)痛心疾首，感慨為什么我國集成電路產(chǎn)業(yè)一直落后?為什么集成電路需要國家用大量外匯進(jìn)口?

　　從1906年第一個(gè)電子管的誕生，其后經(jīng)歷了晶體管、集成電路到超大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展，英特爾提出的摩爾定律一直在應(yīng)驗(yàn)，而美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也一直遙遙領(lǐng)先。

　　相較之下，國內(nèi)從1965年的起步并不晚，只是伴隨著一些主客觀的歷史因素，在集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)模上，一點(diǎn)點(diǎn)被拋在了身后。

　　朱貽瑋在《中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展艱難歷程回顧》中提到，“從1965年多家研究所研制出集成電路樣品，經(jīng)過上世紀(jì)70年代初步形成工業(yè)生產(chǎn)，南北以上無19廠和878廠為代表，在北京、上海、天津、江蘇、貴州、甘肅等省市建起一批集成電路廠，在計(jì)劃經(jīng)濟(jì)年代自力更生地生產(chǎn)一大批小規(guī)模集成電路，但產(chǎn)量不大，在1978年國家進(jìn)入改革開放年代之后，受到進(jìn)口電路和走私電路的沖擊，大多數(shù)企業(yè)前后紛紛退出歷史舞臺(tái)?！?/p>

　　始于1988年的紫光，無疑是當(dāng)下國內(nèi)乃至全球集成電路產(chǎn)業(yè)中的佼佼者。最近，紫光在南京召開了“2018中國芯片發(fā)展高峰論壇”，并且對(duì)外公布了兩個(gè)新品牌：移動(dòng)芯片“虎賁”和物聯(lián)網(wǎng)芯片“春藤”。

　　同時(shí)，紫光也宣布，中國已有第一支采用自己自主研發(fā)芯片所生產(chǎn)的U盤。這意味著紫光深耕多年的存儲(chǔ)芯片走到了最關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折期。

　　在訪談中，楚慶特別強(qiáng)調(diào)，存儲(chǔ)被稱之為信息工業(yè)的糧食和血液，是非常重要的領(lǐng)域，其未來增長(zhǎng)的空間很大?，F(xiàn)在，紫光往前走了一小步，這也是中國產(chǎn)業(yè)的一大步，填補(bǔ)了國內(nèi)存儲(chǔ)芯片自研的空白。

　　眾所周知，過去存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在國內(nèi)的自制率幾乎為零，基本靠進(jìn)口。然而存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)卻是關(guān)乎國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及信息安全的關(guān)鍵，所以紫光這次技術(shù)突破的關(guān)鍵性可想而知。

　　據(jù)了解，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)投入3D NAND研發(fā)近四年時(shí)間，今年32層芯片進(jìn)入生產(chǎn)，目前已經(jīng)獲得了第一個(gè)閃存芯片訂單，用于生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。(此處的3D NAND指的是通過將原本平鋪的儲(chǔ)存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲(chǔ)存單元，堆疊成64層甚至更多。)同時(shí)，紫光將會(huì)在明年量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。