從GDDR1到GDDR6的詳細資料都在這里

　　GDDR6

　　GDDR6標準終于姍姍來遲，即將到來的NVIDIA 11系列顯卡肯定是要用上它的。和GDDR5X一樣采用了16bit預取，這已經(jīng)是被證實提高數(shù)據(jù)傳輸速度最為有效的方法。其次就是GDDR6終于一改以往GDDR1/2/3/4/5/5X只有一個讀寫通道問題，使用雙通道，雖然位寬變小了，但是實際上效率更高以后，會帶來明顯的性能提升。

　　其次就是顯存容量的進步，原本GDDR5最常見的都是8Gb單顆粒，而GDDR6標準下最高可以達到32Gb，換算過來單顆粒就是4GB，好處顯而易見，那就是低端顯卡單顆粒就搞定了，還要什么HBM2?高端3顆也就滿足12GB，推算頂級顯卡384bit顯存位寬計算，搭載12顆就能達到48GB，難怪NVIDIA絲毫沒有在消費級游戲卡上用HBM2顯存的意思。

　　▲GDDR6帶寬可以達到896GB/s，這是美光提供的數(shù)據(jù)

　　此外GDDR6修改了封裝方式，減少了底部接口數(shù)目，從190 ball減少至180ball，尺寸更小，這樣應用場景更為寬闊。

　　▲GDDR6優(yōu)勢——針腳少、尺寸更小、效能更高

　　目前全球三大存儲芯片廠商三星、海力士和美光都推出了自己的GDDR6計劃，不過由于技術實力差異和產(chǎn)品研發(fā)路線不同等因素，這三家的產(chǎn)品還存在一定的區(qū)別。

　　三星

　　期初三星在GDDR6上也是雷聲大雨點小，推出GDDR6的時機也要晚于其余兩家，但三星厚積薄發(fā)，一推出的GDDR6顯存規(guī)格就是最高的，1Y nm工藝(10-16nm)，單顆粒2GB，速度最高可達18Gbps，超過了JEDEC規(guī)范。

　　海力士

　　首批采用21nm工藝，單顆粒1GB容量，速度有10/12/14Gbps，也超過GDDR5X現(xiàn)時的極限，比較有趣的是，GDDR6電壓應該是1.35V，海力士研發(fā)出1.25V低電壓版的GDDR6顯存，估計是為筆記本設備研發(fā)的。

　　美光

　　美光是最早、也是最積極推進GDDR6顯存的存儲廠商，將會采用16nm工藝制造，也是單顆粒8Gb，速度10-14Gbps不等，而且也有對應多款1.25V低電壓版GDDR6顯存。

　　如今GDDR6顯存依靠高頻率、高容量和低功耗特性，將會在未來新一代游戲顯卡上大方異彩，為新架構(gòu)顯卡帶來更強大的綜合性能，而且對比成本居高不下、封裝難度高的HBM 2顯存來講，GDDR6顯然更加實惠，更易于往中低端顯卡推廣。