存儲器價格降溫?或許只是長達(dá)18個月的“美夢”
從2016年第二季度開始,存儲器價格一路飆升,每個季度都在刷新著銷售額紀(jì)錄。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201811/394443.htm這一波漲價趨勢,也著實(shí)“養(yǎng)肥”了不少存儲器大廠。根據(jù)市場分析機(jī)構(gòu)IC insights最新的報告顯示,三星憑借著強(qiáng)勢的存儲器業(yè)務(wù)已經(jīng)力壓英特爾,連續(xù)兩年坐上了半導(dǎo)體銷售排行榜的龍頭寶座。此外,今年SK 海力士也是憑借其存儲業(yè)務(wù),將臺積電擠下了前三的位置。
一方面,這一波漲價潮讓存儲器廠商獲利不少,但同時也讓終端廠商嘗到了切膚之痛,成本大增,利潤降低了不少。
現(xiàn)在廠商和消費(fèi)者們終于熬到了頭,近日,市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,10月份的DRAM合約價已經(jīng)正式走跌,除了宣告DRAM價格漲勢告一段落,供過于求加上高庫存水位的影響將導(dǎo)致價格跌幅劇烈。
存儲器價格為什么開始下降?
2017年底到2018年發(fā)生了什么,為什么存儲器的價格會有所下降?主要有以下幾點(diǎn)原因。
一是,市場對存儲器的需求有所放緩。集微網(wǎng)記者了解到,英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺,比特幣價格下跌造成的中低端挖礦機(jī)需求不振,及新興市場貨幣貶值造成的中低端手機(jī)銷售不佳,造成明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND預(yù)計將會有3-5%的供過于求。
二是,由于前兩年價格一路看漲的趨勢,各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”,導(dǎo)致NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格開始持續(xù)走低,終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應(yīng)緊俏狀況。
三是,從2016年開始,全球各大存儲芯片廠商紛紛開始升級,而供不應(yīng)求的情況正是出現(xiàn)在技術(shù)轉(zhuǎn)換期內(nèi)。而現(xiàn)在,隨著三星開始量產(chǎn)96層3D NAND芯片,東芝、西數(shù)也宣布量產(chǎn)96層QLC閃存顆粒等,也宣告技術(shù)轉(zhuǎn)換期的結(jié)束。
四是,來自客戶的壓力。手機(jī)廠商貢獻(xiàn)了全球三分之一的存儲芯片需求,許多手機(jī)廠商一直在對存儲器供應(yīng)商施壓,想讓他們降低價格。
存儲器價格下降預(yù)計不超過18個月
然而,即便是近期存儲器的價格有所放緩,手機(jī)廠商們也不用太高興。據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析,此次價格下降趨勢預(yù)計不超過18個月。
據(jù)了解,英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會于明年中之前改善,10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn),AMD 7納米x86 CPU,7納米挖礦機(jī)及智能手機(jī),5G手機(jī)等都將于明年上市取代中低端機(jī)型及對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此可以預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高位下滑,但卻不至于步入虧損。
并且,存儲器廠商們也有進(jìn)行一定的措施防止價格下滑太嚴(yán)重。
近日,韓國存儲器大廠SK海力士表示,為了應(yīng)對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價格下跌,公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規(guī)模,還將監(jiān)控并調(diào)整2019年的產(chǎn)能。
同時,韓媒Digital Daily報道也稱,三星電子降低了利潤較低的移動DRAM生產(chǎn)比重,提高了利潤更高的DRAM供給,并且今年不會再進(jìn)行DRAM和NAND Flash的新產(chǎn)線投資。
而另一個內(nèi)存大廠美光由于存儲器需求和價格同步下滑,將會囤積庫存,以放緩其價格下跌的速度。根據(jù)美光的說法,控制產(chǎn)能之外還會加速研發(fā),以此來搶占未來DRAM的高端市場,其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產(chǎn),基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。
“趕了個晚集”的中國廠商
但是,中國廠商似乎并沒有嘗到漲價潮的福利。
目前,國內(nèi)存儲器主要依靠進(jìn)口,數(shù)據(jù)顯示,我國每年進(jìn)口的存儲器金額約為600億美元。存儲器可以說是扼住了中國半導(dǎo)體發(fā)展的咽喉。為此,國家下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。
國產(chǎn)存儲器廠商最近一段時間更是沒有閑著,在國內(nèi)呼喚芯片等科技自主的聲音里,早就開始加快科研與投產(chǎn)進(jìn)度。雖然還沒有給傳統(tǒng)存儲器廠商帶來實(shí)質(zhì)影響,但也足夠給存儲器市場帶來一劑降溫藥。
最新的消息來自于長江存儲,其32層3D NAND將于今年底前投入量產(chǎn),也就是現(xiàn)在了,并要爭取實(shí)現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能。另外,兩天前爆出消息,有業(yè)界人士透露,長江存儲Xtacking架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測試,讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定,預(yù)計最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進(jìn)入128層堆疊。
在產(chǎn)能方面,長江存儲武漢存儲基地一期已經(jīng)投入生產(chǎn),原本該工廠計劃的是10萬片產(chǎn)能,但實(shí)際可以做到15萬。為了進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器制造基地已經(jīng)開工,正在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
福建晉華最近則是傳出了不好的消息。由于與聯(lián)電有緊密的合作關(guān)系,共同研發(fā)DRAM,當(dāng)被卷入聯(lián)電與美光的知識產(chǎn)權(quán)糾紛時,麻煩隨之而來,美國政府找各種理由,禁止美國等半導(dǎo)體設(shè)備廠商將相關(guān)設(shè)備和技術(shù)出售給福建晉華,隨之而來的是,聯(lián)電也中止了與晉華的合作。
合肥長鑫方面,則是在今年7月正式投片了DRAM,啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這也是第一個中國大陸自主研發(fā)的DRAM芯片。
現(xiàn)在,國內(nèi)存儲器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時候到了。不過目前來看,國內(nèi)三大存儲器廠商由于技術(shù)原因,與國際大廠的差距還很明顯,想要趕上漲價潮的紅利還需努力!
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