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          AI、5G和大內(nèi)存在數(shù)據(jù)時代并列稱王

          作者: 時間:2018-11-26 來源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏

            集成電路設(shè)計領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會” ISSCC 一貫是全球半導(dǎo)體設(shè)計領(lǐng)域的一個盛會,根據(jù)官網(wǎng)最新的預(yù)告頁面顯示,ISSCC 2019的重頭戲?qū)⒉辉倬劢鼓柖珊臀⑻幚砥?,而機(jī)器學(xué)習(xí)、高速網(wǎng)絡(luò)和大內(nèi)存則在這個數(shù)據(jù)時代并列稱王。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201811/394827.htm

            三星和英特爾將詳細(xì)介紹/LTE組合芯片;在快閃記憶體(NAND Flash)方面,東芝將展示一款1.33太比特芯片,西部數(shù)據(jù)公司將談?wù)撘豢钣?28個芯片層的處理器;在DRAM方面,海力士和三星會匯報DDR5和LPDDR5的情況,另外三星也將單獨(dú)展示一款用于智能手機(jī)深度學(xué)習(xí)的加速器。

            三星的深度學(xué)習(xí)加速器在0.5伏電壓下的速度高達(dá)11.5TOPS,僅占據(jù)8nm處理器5.5mm2的面積,以雙核設(shè)計封裝了1,024個乘累加單元,性能與以往技術(shù)相比提升了10倍。東芝16nm的SoC適用于機(jī)器車,一個面積僅為94.52mm2的晶粒就囊括了10個處理器、4個DSP和8個加速器,能釋放20.5 TOPS的速度,其圖像識別滿足ASIL-B的安全等級,控制處理器滿足ASIL-D的安全等級。

            今年的ISSCC沒有關(guān)于5nm工藝SRAM芯片的論文發(fā)布,盡管有少量關(guān)于7nm高速網(wǎng)絡(luò)集成芯片討論,而過去的突破中也沒有出現(xiàn)涉及旗艦CPU的論文。負(fù)責(zé)微處理器演示會議的一名組織者表示,他們并不認(rèn)為這會是一個持續(xù)的趨勢,但這表明了該行業(yè)在產(chǎn)品周期中的地位。

            ISSCC邀請了IBM工程師來講解目前世界上最強(qiáng)大的超級計算機(jī)Sierra,處理器演示會議上還將詳解一篇有趣的論文,一款功率范圍在37-238mW和睿頻在80-365MHz的機(jī)器人控制器,這款控制器搭載英特爾22nm處理器,旨在與SOI晶片一較高下。

            臉譜網(wǎng)研究部負(fù)責(zé)人將講述如何利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)無監(jiān)督學(xué)習(xí),使機(jī)器像人類一樣自主地從環(huán)境中學(xué)習(xí)。而內(nèi)存計算作為加速的研究熱點(diǎn),清華大學(xué)的一款芯片在使用電阻式RAM時的二進(jìn)制運(yùn)算性能達(dá)到53.17 TOPS/W,而操作延遲只有14.6ns。



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