開關(guān)電源調(diào)試常見問題和解決方法大合集

　　1 變壓器飽和

　　變壓器飽和現(xiàn)象

　　在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載，重載，容性負載)，輸出短路，動態(tài)負載，高溫等情況下，通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長，當出現(xiàn)此現(xiàn)象時，電流的峰值無法預知及控制，可能導致電流過應(yīng)力和因此而產(chǎn)生的開關(guān)管過壓而損壞。

　　變壓器飽和時的電流波形

　　容易產(chǎn)生飽和的情況：

　　1)變壓器感量太大;

　　2)圈數(shù)太少;

　　3)變壓器的飽和電流點比IC的最大限流點小;

　　4)沒有軟啟動。

　　解決辦法：

　　1)降低IC的限流點;

　　2)加強軟啟動，使通過變壓器的電流包絡(luò)更緩慢上升。

　　2 Vds過高

　　Vds的應(yīng)力要求：

　　最惡劣條件(最高輸入電壓，負載最大，環(huán)境溫度最高，電源啟動或短路測試)下，Vds的最大值不應(yīng)超過額定規(guī)格的90%

　　Vds降低的辦法：

　　1)減小平臺電壓：減小變壓器原副邊圈數(shù)比;

　　2)減小尖峰電壓：

　　a.減小漏感：

　　變壓器漏感在開關(guān)管開通是存儲能量是產(chǎn)生這個尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。

　　b.調(diào)整吸收電路：

　?、偈褂肨VS管;

　?、谑褂幂^慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰);

　?、鄄迦胱枘犭娮杩梢允沟貌ㄐ胃悠交?，利于減小EMI。

　　3 IC 溫度過高

　　原因及解決辦法：

　　1)內(nèi)部的MOSFET損耗太大：

　　開關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣) 。

　　2)散熱不良：

　　IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應(yīng)盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫

　　3)IC周圍空氣溫度太高：

　　IC應(yīng)處于空氣流動暢順的地方，應(yīng)遠離零件溫度太高的零件。

　　4 空載、輕載不能啟動

　　現(xiàn)象：

　　空載、輕載不能啟動，Vcc反復從啟動電壓和關(guān)斷電壓來回跳動。

　　原因：

　　空載、輕載時，Vcc繞組的感應(yīng)電壓太低，而進入反復重啟動狀態(tài)。

　　解決辦法：

　　增加Vcc繞組圈數(shù)，減小Vcc限流電阻，適當加上假負載。如果增加Vcc繞組圈數(shù)，減小Vcc限流電阻后，重載時Vcc變得太高，請參照穩(wěn)定Vcc的辦法。

　　5 啟動后不能加重載

　　原因及解決辦法：

　　1)Vcc在重載時過高

　　重載時，Vcc繞組感應(yīng)電壓較高，使Vcc過高并達到IC的OVP點時，將觸發(fā)IC的過壓保護，引起無輸出。如果電壓進一步升高，超過IC的承受能力，IC將會損壞。

　　2)內(nèi)部限流被觸發(fā)

　　a.限流點太低

　　重載、容性負載時，如果限流點太低，流過MOSFET的電流被限制而不足，使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻，提高限流點。

　　b.電流上升斜率太大

　　上升斜率太大，電流的峰值會更大，容易觸發(fā)內(nèi)部限流保護。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量。