新型數(shù)字反激控制芯片輕松實現(xiàn)高效高功率密度USB PD快充設計

作者 / 英飛凌公司

　　摘要：主要介紹USB PD應用中的ZVS反激控制器 ，例如手機電腦快充等。主要對控制器的特征、保護、工作和控制原理進行說明和討論。適合充電器適配器設計人員以及對數(shù)字型ZVS反激控制器感興趣的電源工程師閱讀。

　　關(guān)鍵詞：反激;控制;USB PD;快充;零電壓開關(guān)

　　0 引言

　　消費者體會到快充給手機電腦的應用帶來了很多的便利，但玲瑯滿目的快充協(xié)議也給用戶帶來一定的困惑，例如市場上有MTK 的 PE+ 、高通的 QC 4+、 OPPO 的 VOOC、華為的 FCP/SCP，等等，它們往往需要專門的充電器。USB-PD 這個時候得到大范圍設備支持，得益于它兼容了其他的快充標準，使得在為數(shù)碼電子設備充電時不需要必須使用廠家專用充電器材才能為設備實現(xiàn)快速充電，給大家?guī)砀嗟谋憬荨?/p>

　　大家習慣了小型輕便的充電器，如何在不增加充電器體積的情況下提升更大的功率輸出，并且支持短時間的峰值輸出?這意味著需要更高的頻率設計，從而縮小磁性元件和其它被動器件的尺寸，以及采用支持高效率設計的功率器件。在高頻的操作過程中，零電壓開關(guān)由于可以減小主動開關(guān)器件的開通損耗而備受歡迎。各種不同的零電壓開關(guān)拓撲以及相應的控制器都在開發(fā)研究當中。取決于輸出電流大小，CCM/DCM通常被選用于不同的應用場景。對于USB PD應用，由于輸出可變使得定頻控制模式下CCM 不可避免。因為定頻控制可以使EMI和系統(tǒng)設計相對容易。

　　英飛凌XDPS21061數(shù)字電源方案可以為工程師解決這方便的困擾，數(shù)字化電源方案可以提升效率，減少開發(fā)周期和系統(tǒng)成本，并且可以加強產(chǎn)品的靈活性，實現(xiàn)更多的差異化。XDPS21061是一款多模式數(shù)字式控制器，它同時適用于DCM和CCM 兩種工作模式，內(nèi)部嵌入高壓啟動單元。該啟動單元使得該IC的供電電壓在零負載時更加高效和靈活?？刂破髦械奈SP就像芯片的大腦，它使該控制器比傳統(tǒng)的硬件混合信號更加聰明和智能化。XPDS21061的數(shù)字和模擬外圍設備支持各種信號采樣和調(diào)控，使其成為反激操作的理想選擇。同時它集合了不同的工作模式，如連續(xù)模式(CCM)、零電壓開關(guān)(ZVS)模式、降頻模式和突發(fā)模式，使得它在不同負載和輸入電壓下獲得最佳的效率。此外，還集成了一次性可編程(OTP)內(nèi)存，可以提供寬泛的可編寫參數(shù)，從而簡化設計。數(shù)字可配置的引腳簡化了系統(tǒng)的BOM/PCB布局，不像混合信號IC那樣需要大量的外置電阻/電容網(wǎng)絡來調(diào)節(jié)參數(shù)。

　　在本文的最后還介紹了如何更好地利用高效率功率器件(如CoolMOS?和OptiMOS?)以及封裝，讓設計更加具有競爭性。

　　1 準諧振反激拓撲面臨的困難

　　公式1是準諧振反激電路在第一個谷底的開關(guān)損耗。Cpara包括MOSFET輸出電容和變壓器耦合電容。因此在低壓輸入下，反激準諧振幾乎是零電壓開關(guān)，但是在高壓輸入條件下，仍然有非常高的開關(guān)損耗。

　　(公式1)

　　另一個與拓撲相關(guān)的損耗是主MOSFET的吸收網(wǎng)絡，而且很難算出損耗的準確數(shù)值。

　　在主MOSFET關(guān)閉后，在能量注入到吸收網(wǎng)絡之前，原邊峰值電流首先給主MOSFET的寄生電容進行充電。因此電容越大，寄生電容中儲存的能量就越多，吸收網(wǎng)絡的損耗就越少。對于硬開關(guān)拓撲，寄生電容中的損耗完全喪失掉的。但是對于準諧振反激，這些能量的部分可以被回收。對于完全的ZVS，即使是高壓輸入，大部分能量也是可以被回收利用的。

　　注入吸收網(wǎng)絡的能量為(0.5*Llk*ipk²-0.5*Cpara*Vsw²)。然而，這并不是全部損失掉，這取決于使用的吸收二極管。使用慢反向恢復二極管可以將部分能量回收至電容或輸出，如圖1所示。吸收網(wǎng)絡僅在V_sw-V_clamp-V_bus>0時工作。這意味著吸收電路的損耗會在高壓輸入時較高而低壓輸入時較低。較大的Coss能吸收更多的能量，利用ZVS控制器，意味著更多的吸收能量能夠被回收。此外，采用低阻抗的MOSFET可以用來減少導通損耗，同時對吸收部分的耗損也有幫助。

　　另一個問題是，QR flyback在重載條件下工作頻率最低，由于變壓器的利用問題這對峰值功率的應用來說是不利的。

　　QR控制頻率變化的問題很容易導致觸摸屏的共模式噪聲干擾。

　　為了簡化變壓器的生產(chǎn)，提出了基于PCB(印制板)的繞組設計。為了減少銅損，頻率要求高于100 kHz。此外由于PCB 繞組耦合電容變大，開關(guān)損耗也會隨之增加。因此一個定頻的ZVS 反激控制器必不可少。

　　2 強制頻率諧振零電壓開關(guān)(FFRZVS)工作原理描述

　　圖2顯示了ZVS反激電路典型的PWM 時序和相關(guān)的關(guān)鍵波形。在主MOSFET關(guān)閉之后的時間t4，同步整流(SR)MOSFET將會在一段消隱時間延時之后導通。在時間t5，當消磁電流趨于零時，SR MOSFET關(guān)閉，然后激磁電感Lp和Ceqv將會諧振。主MOSFET的電壓將從Vbulk+Vrefl諧振到Vbulk-Vrefl，Vrefl=Nps*Vo。如果輔助MOSFET在t1開通，那么主MOSFET諧振在峰值就意味著激磁電流為零，那么imag就會負向增加。在此受控的ZVS開通時間段，主MOSFET的Vds被鉗位在電壓Vbulk+Vrefl上。一旦峰值電流達到i_zvs_pk，就會關(guān)閉輔助 MOSFET，由于電流存儲在磁化電感中并且反相，它將繼續(xù)向這個方向流動，并釋放儲存在Ceqv中的能量。這個死區(qū)時間是由IC的 t_ZVSdead參數(shù)控制的并且是可配置的。在t3時刻，主MOSFET的漏極電壓達到最小值，打開主MOSFET，此時達到最低開通損耗。從圖中可以看出，ZVS所需能量與Vbulk成正比，ZVS MOS的開通時間也是如此。

　　MFIO電壓是在主MOSFET開通經(jīng)過一段前沿消隱(LEB)時間后進行采樣的。基于這個電壓，IC會知道下一個周期的開關(guān)頻率，例如開關(guān)時間T_sw。由于ZVS 開通時間和ZVS的死區(qū)時間也是已知的，T_sw-T_zvson-T_zvsdead 決定了ZVS MOSFET開通時間點。

　　磁化電感用于實現(xiàn)ZVS，所以ZVS只在DCM中有效。用于實現(xiàn)ZVS控制脈沖GD1，只需要其中部分能量的實現(xiàn)ZVS功能，剩余部分將回饋系統(tǒng)。

　　3 適配器中功率MOSFET 的選型

　　針對手機快充中原邊MOSFET的選擇. 我們主要從散熱、效率、成本、裝配……等幾個方面考慮。目前大多數(shù)用于手機充電器的功率MOSFET 沒有加額外的散熱器。這其中考慮到布局的便利，以及成本的問題。因此選擇MOSFET的封裝時，需要考慮到最大負載情況下溫度是否滿足要求，一般我們可以測量器件的表面溫度，然后通過公式Tj=Tc+P*Rthjc (Tc 為器件殼溫，P 為器件的耗散功率，Rthjc為該封裝熱阻) 來計算結(jié)溫是否滿足設計要求。

　　由于成本和空間的要求，其中對器件本身需要具有一定的功率耗散能力，同時也需要滿足小尺寸的要求以提升整機的功率密度。通常這兩者之間是相互背離的。所以我們會折中考慮。TO247 和D2PAK 此類封裝雖然散熱性能良好，但是由于封裝本身尺寸偏大，并不太適用小型化設計。而一些更小的封裝由于本身散熱能力問題需要增加額外的散熱器，從而增加散熱成本。因此，我們通常考慮ThinPAK 封裝，如圖3所示，該封裝兼顧散熱和小尺寸的需求，寄生參數(shù)也遠遠比TO 封裝小得多，有利于減少尖峰電壓。另外它的特點是功率地和驅(qū)動信號地隔開，這樣大大減少由于MOSFET 源極寄生電感帶來的干擾。對系統(tǒng)驅(qū)動的穩(wěn)定性和EMC 設計有較大幫助。

　　另外TO220 FP 窄腳封裝可以支撐直立生產(chǎn)，降低PCB表面連錫風險，同時滿足安規(guī)絕緣封裝、易于安規(guī)設計等優(yōu)點也被廣泛地應用于各種充電器設計當中。我們在65 W 單輸出設計中選用了英飛凌ThinPAK IPL60R125C7，40 W 設計中采用了TO220 FP IPAN70R600P7S。

　　副邊同步整流MOSFET，較為常見的是SSO8(PQFN 5x6)的封裝。根據(jù)不同變壓器設計和輸出電壓，可以選擇不同電壓等級的MOSFET。但對于手機快充來說，通常同步整流控制器由輸出直接供電，由于兼容低壓輸出如5 V 或3.3 V。因此對應MOSFET驅(qū)動電壓也是5 V、3.3 V。在此驅(qū)動電壓下普通驅(qū)動的MOSFET 并不能工作在飽和區(qū)域，因為普通驅(qū)動等級的MOSFET 的飽和驅(qū)動電壓在7.5 V左右。因此我們對于此類應用應選擇邏輯電平 MOSFET。我們在40 W設計中采用邏輯電平驅(qū)動MOSFET BSC0802LS可以在4.5 V 邏輯電平下飽和導通，可以有效降低同步整流MOSFET 的導通損耗。同時低驅(qū)動電壓可以進一步降低MOSFET 的驅(qū)動損耗，提升效率。

　　4 簡化應用圖

　　圖4顯示了一款40 W快速充電器設計中采用XDPS21061的簡化應用圖。與傳統(tǒng)的反激和有源嵌位(ACF)相比，它在原邊有一個額外的ZVS繞組，以及一個電容、開關(guān)器件和一個低端的門極驅(qū)動。無需高端驅(qū)動和高電壓MOSFET并實現(xiàn)零電壓開通，因此系統(tǒng)成本很低。

　　5 輕載工作的設定

　　突發(fā)模式對于初級AC/DC控制IC滿足空載要求是很重要的。通常，當反饋低于某個值時，控制IC會進入突發(fā)模式。為了減少輸出電壓紋波，突發(fā)模式的遲滯需要盡可能小。這對變輸出電壓設計具有很強的挑戰(zhàn)性。然而，由于是數(shù)字控制，XDPS21061基于查表方式進入突發(fā)模式，它根據(jù)不同的輸出電壓從而選擇不同的突發(fā)模式進入條件。

　　6 65 W 單輸出適配器設計實例

　　我們利用FFRZVS控制器設計了一款65 W全電壓輸入的適配器。輸入90~264 Vac，輸出20 V/3.25 A，開關(guān)頻率Fsw =120 kHz，變壓器磁芯采用RM8，匝比Np:Ns=5，Lp=12 μH，輸入電容120 μF，原邊MOSFET 采用IPL60R125C7，ZVS MOSFET 采用BSL606SN，同步整流SR MOSFET 采用BSC093N15NS5G，SR控制器采用UCC24630。由于散熱限制，功率密度可達 15 W/inch3，其中輸入部分包含一個共模電感和一個差模電感。

　　7 基于dpVision? 的可配置人機操作界面

　　通過一個UART 引腳可以配置各種參數(shù)，系統(tǒng)BOM(物料清單)是相當簡化的。由于許多應用相關(guān)的參數(shù)都是可調(diào)整的，所以控制器可以根據(jù)不同的系統(tǒng)設計而量身定制。例如，可配置頻率法則可用于調(diào)整最大頻率，以適應不同的磁芯形狀，并調(diào)整半載效率，以平衡導通損耗和開關(guān)損耗。也可對突發(fā)模式參數(shù)進行配置以用于調(diào)整突發(fā)模式進出功率。

　　8 總結(jié)

　　XDPS21061是一個基于微DSP的多模式數(shù)字控制器，能夠工作在不同的電流模式，內(nèi)部嵌入高壓啟動單元，可調(diào)驅(qū)動電流，兼顧數(shù)字和模擬芯片優(yōu)點。人性化人機操作界面，輕松配置系統(tǒng)參數(shù)?？梢允闺娫垂こ處煂崿F(xiàn)高自由度的差異化化設計?；赬DPS21061的快充65 W/40 W設計，采用強制頻率諧振，在應對USB PD 可變輸出電壓下自適應限流，同時整合英飛凌CoolMOS?，OptiMOS? 等高效功率器件在實現(xiàn)高效設計時游刃有余?？蛇x的抖頻功能進一步優(yōu)化EMI 效果從而取得更高的性價比。

本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第2期第23頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處