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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2019-02-12
				來源：快科技
				
				
				
				
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          　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201902/397476.htm
          　　接受采訪時(shí)，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。
          　　Kim 
Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。
          　　資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DDR5 
DRAM內(nèi)存顆粒，工作頻率高達(dá)5200MHz，電壓僅1.1V，2020年起量產(chǎn)。
          　　談及DDR5時(shí)，Kim Dong-kyun表示，他們繼承了多相位同步技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)低電壓下驅(qū)動(dòng)高頻。
          　　SK海力士當(dāng)時(shí)還預(yù)估，將不晚于2022年搞定DDR5-6400內(nèi)存顆粒，其實(shí)，這也等于為所謂的DDR6鋪平道路。
          　　
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            DRAM
                        DDR6
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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