DRAM技術再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。

　　接受采訪時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。

　　Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術結(jié)合。

　　資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，工作頻率高達5200MHz，電壓僅1.1V，2020年起量產(chǎn)。

　　談及DDR5時，Kim Dong-kyun表示，他們繼承了多相位同步技術，從而實現(xiàn)低電壓下驅(qū)動高頻。

　　SK海力士當時還預估，將不晚于2022年搞定DDR5-6400內(nèi)存顆粒，其實，這也等于為所謂的DDR6鋪平道路。