Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級可靠性

　　2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認(rèn)證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm封裝MOSFET。

　　由于需要很高功率，12 V汽車系統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動和主電源要求MOSFET在各種應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通電阻，如電池反向極性保護(hù)和高邊開關(guān)。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下，導(dǎo)通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW，完全可以滿足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負(fù)載開關(guān)，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

　　日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達(dá)+175 °C，同時鷗翼引線結(jié)構(gòu)可緩解溫度循環(huán)過程中、主板彎曲、振動和意外跌落產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優(yōu)異的板級可靠性。鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于自動光學(xué)檢測 (AOI) 過程獲得更加一致可靠的結(jié)果。

　　器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

　　SQJ407EP和SQJ409EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。