中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷

　　根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成。

　　報(bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品，所以在過去在技術(shù)上至少有5年的領(lǐng)先差距。

　　只是，如果依照計(jì)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一旦真的能在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品，相較三星在2019年要量產(chǎn)96層堆疊的產(chǎn)品，并且預(yù)計(jì)在年底開發(fā)出128層堆疊的產(chǎn)品，則三星在NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先長(zhǎng)江存儲(chǔ)就僅剩下一年的時(shí)間，其追趕的進(jìn)度令人驚訝。

　　由于在NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展，從32層堆疊到64層堆疊，再到96層堆疊，乃至于到目前最新的128層堆疊技術(shù)，其每一代的技術(shù)研發(fā)大概需要一年的時(shí)間。如此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)雖然號(hào)稱要在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品，但結(jié)果是在目前半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷，再加上三星與SK海力士?jī)杉夜編缀鯄艛嗍袌?chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)連32層堆疊的NANDFlash快閃存儲(chǔ)器大量量產(chǎn)都有問題的狀況下，更遑論要開發(fā)最新128層堆疊技術(shù)的產(chǎn)品，因此中國(guó)要發(fā)展NANDFlash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)就此受阻。

　　再談到較NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)更為復(fù)雜的DRAM產(chǎn)業(yè)時(shí)，雖然中國(guó)也一直視為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，不過當(dāng)前中國(guó)在這產(chǎn)業(yè)可說是一團(tuán)混亂。原因是自2018年開始，原本積極布局服務(wù)器DRAM領(lǐng)域的廠商福建晉華，在受到美國(guó)禁售令的影響，目前已經(jīng)逐步退出市場(chǎng)。盡管福建晉華在2011年就已經(jīng)宣布推出32奈米制程的DRAM樣品，只是在美國(guó)積極保護(hù)DRAM知識(shí)產(chǎn)權(quán)，而且祭出禁售令的情況之下，福建晉華是不是能夠有機(jī)會(huì)推出這個(gè)規(guī)格的產(chǎn)品，目前還在未定之天。