紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。

DRAM陷價格風(fēng)暴　三星庫存資產(chǎn)飆升

2018年三星電子全年?duì)I收243兆韓元(約2,169億美元)，營業(yè)利益59兆韓元，其中半導(dǎo)體事業(yè)占三星營收的35%，但營業(yè)利益卻占76%，半導(dǎo)體等于撐起三星大多數(shù)獲利，然2018年底三星存儲器營收季減24%，營業(yè)利益季減43%，危機(jī)隱憂浮現(xiàn)。

三星半導(dǎo)體事業(yè)分為存儲器(DRAM、NAND Flash)與非存儲器(系統(tǒng)IC及晶圓代工)。2018年三星半導(dǎo)體事業(yè)營收86兆韓元，存儲器占比84%，非存儲器占比16%，半導(dǎo)體事業(yè)營業(yè)利益44兆韓元，存儲器占97%，非存儲器僅占3%，半導(dǎo)體事業(yè)獲利極端依賴存儲器。

從存儲器部門營收與營業(yè)利益來看，2018年三星存儲器營收72兆韓元，64%營收來自DRAM，36%營收來自NAND Flash，存儲器營業(yè)利益43兆韓元，75%營業(yè)利益來自DRAM，25%營業(yè)利益來自NAND Flash，三星存儲器事業(yè)獲利也不均衡，DRAM可說是三星最大獲利金雞母，重要性可見一斑。

1983年三星發(fā)表著名的「東京宣言」，正式開啟DRAM事業(yè)序曲，DRAM成為三星王國版圖中最重要的產(chǎn)品。2000年代全球DRAM市場經(jīng)歷多次膽小鬼賽局，業(yè)者從十多家變成個位數(shù)，逐漸形成三星、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)三巨頭寡占局面，三星與SK海力士(SK Hynix)合計(jì)市占率超過7成，韓國稱霸全球DRAM市場。

2016年以來受惠于PC、智能型手機(jī)需求擴(kuò)大，存儲器市場進(jìn)入榮景循環(huán)，直至2018年底DRAM價格走跌。市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，2019年第1季DRAM價格年跌幅，將從原本的25%擴(kuò)大至30%，這對高度依賴存儲器的三星自然不是好消息。預(yù)料隨著存儲器價格持續(xù)走跌，2019年三星恐讓出全球半導(dǎo)體龍頭企業(yè)寶座，英特爾(Intel)有望重登王位。

最近也傳出三星庫存資產(chǎn)飆升情況嚴(yán)重，相較于產(chǎn)品價格下滑，庫存資產(chǎn)升高背后的原因更值關(guān)注。因?yàn)檫@表示，三星存儲器主要客戶，美國與中國大陸等的服務(wù)器業(yè)者訂單大幅減少。盡管三星預(yù)測2019年下半市況將會好轉(zhuǎn)，但韓國業(yè)界則比較悲觀，認(rèn)為短期內(nèi)三星降低庫存資產(chǎn)水位并非易事。

稍早傳出三星已帶頭在NAND Flash市場大幅砍價，應(yīng)驗(yàn)先前存儲器市場膽小鬼賽局，將從NAND Flash開始的預(yù)言，由于DRAM市場已形成寡占局面，三巨頭合計(jì)市占率高達(dá)95%，DRAM市場再掀膽小鬼賽局的可能性相對較低。

日前SK海力士宣布，斥資120兆韓打造4座半導(dǎo)體廠，美光則決定加碼中國臺灣建封測廠，三星也積極興建平澤二廠。放眼未來DRAM市場，三星、SK海力士與美光的擴(kuò)產(chǎn)競爭仍將持續(xù)，而中國大陸何時加入與如何加入？恐成DRAM市場最大變量。

三星DRAM堅(jiān)守韓國　EUV制程拚2020年投產(chǎn)

中國大陸目前有SK海力士無錫DRAM廠、英特爾(Intel)大連NAND Flash廠、美光西安DRAM廠，及三星西安NAND Flash廠。至今，三星并未將DRAM生產(chǎn)移至大陸。三星DRAM生產(chǎn)工廠主要以華城為主，最近也擴(kuò)及至平澤園區(qū)。

2019年三星DRAM產(chǎn)線計(jì)有5條：華城13、華城15、華城16及華城17及平澤P1。原本華城11產(chǎn)線生產(chǎn)DRAM，但2018年決定轉(zhuǎn)換生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)，華城16產(chǎn)線中的2D NAND Flash產(chǎn)線，則是轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DRAM彌補(bǔ)產(chǎn)能。

DRAM從20納米進(jìn)入10納米1x制程已相當(dāng)不容易，接下來10納米1y及1z制程更為困難。2017年11月三星率先量產(chǎn)1y納米制程DRAM，2019年3月21日三星宣布完成開發(fā)1z納米制程，預(yù)計(jì)2019年下半進(jìn)入量產(chǎn)。

美光2018年底量產(chǎn)1y納米制程Mobile DRAM，SK海力士則是宣布2019年第1季起量產(chǎn)1y納米制程DRAM，三星領(lǐng)先對手1~2年，預(yù)料2019年三家業(yè)者的10納米級DRAM制程競爭，勢將更為白熱化。

三星傳計(jì)劃2020年初，啟用極紫外光(EUV)設(shè)備試產(chǎn)新一代DRAM。事實(shí)上，導(dǎo)入EUV設(shè)備制程的舉動，將讓以美國為首的全球半導(dǎo)體制造地位更為鞏固，墊高日后中國大陸業(yè)者進(jìn)入先進(jìn)制程的難度。

盡管大陸已在IC設(shè)計(jì)、封測及晶圓代工領(lǐng)域有所進(jìn)步，但在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域大部分仍由中國臺灣、韓國業(yè)者掌握，中國臺灣、韓國身為美國半導(dǎo)體同盟成員，未來是否可能與大陸合作？頗值得玩味與觀察。

半導(dǎo)體的政治經(jīng)濟(jì)學(xué)　紅芯崛起的辯證思考

從國際政治經(jīng)濟(jì)學(xué)來看，中國大陸半導(dǎo)體崛起別具意義。美國向來視半導(dǎo)體為國家安全戰(zhàn)略的一環(huán)，美蘇冷戰(zhàn)時期，蘇聯(lián)高層誤信半導(dǎo)體抗輻射能力不如真空管，在發(fā)展半導(dǎo)體的黃金期敗下陣來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就以美國為中心揭開序幕。

蘇聯(lián)敗下陣后，美國也開始拉邦結(jié)友，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于是以美國及其「盟友」為中心開始發(fā)展。例如，DRAM有三星、SK海力士等盟友，NAND Flash有三星、SK海力士、東芝等盟友，及美光、威騰(WD)、英特爾等美國業(yè)者，CPU則由英特爾及超微(AMD)掌握。

隨著大陸經(jīng)濟(jì)與科技不斷猛進(jìn)，科技發(fā)展逐漸擴(kuò)及半導(dǎo)體，進(jìn)一步計(jì)劃半導(dǎo)體自給率從目前的15%，提升至2025年的70%。此舉自然引起美國警戒，美國總統(tǒng)川普為防堵中國大陸半導(dǎo)體勢力崛起，日前對福建晉華祭出禁售令，聯(lián)電自然也得急忙撇清關(guān)系。

在此之前，美國曾經(jīng)禁止英特爾出售高階芯片予大陸，也曾阻礙中國大陸企業(yè)收購美國半導(dǎo)體公司。雖然美國可能也有意牽制所有中國大陸的存儲器業(yè)者，但暫時還無法有正當(dāng)理由對NAND Flash發(fā)動攻勢。

中國大陸自然不甘坐以待斃，2017年底~2018年初大陸國家發(fā)展改革委員會，傳曾經(jīng)約談三星半導(dǎo)體高層，2018年5月反壟斷局正式對三星、SK海力士及美光等三家業(yè)者展開調(diào)查，施壓意味明顯。傳為了加速中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，中國大陸當(dāng)局要求這些業(yè)者中斷對大陸企業(yè)提出專利侵權(quán)訴訟，交換條件是免除數(shù)十億美元罰金。

DRAM領(lǐng)域牽涉到的技術(shù)面訴訟，及軍事用途等敏感問題，這些在NAND Flash身上都不存在，加上NAND Flash技術(shù)門檻較低，將使大陸NAND Flash產(chǎn)業(yè)成長速度快過DRAM。盡管中國大陸的DRAM發(fā)展值得關(guān)注，但目前看來想追上三星、SK海力士等并非易事。

從需求層面來看，2018年全球前十大半導(dǎo)體客戶大陸進(jìn)榜4家，分別是華為、聯(lián)想、步步高及小米，中國大陸半導(dǎo)體崛起的最大助力，除政策金援外，其龐大的內(nèi)需也不容忽視。如果從三星極度不均衡發(fā)展的半導(dǎo)體事業(yè)出發(fā)，三星或許也想利用這股紅芯崛起，修正半導(dǎo)體事業(yè)的不均衡。

三星DRAM的危與機(jī)　SDI高層跳槽為哪里樁

目前中國大陸力拚半導(dǎo)體崛起，對三星而言恐怕「感同身受」，因?yàn)檫^去三星也是從落后到追趕，終成一方霸主?；仡櫲前l(fā)展DRAM事業(yè)的當(dāng)時，不少日本研究機(jī)構(gòu)多給予負(fù)評，認(rèn)為三星無法成功發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)。

2017年底，三星發(fā)布了一項(xiàng)不尋常的人事命令，讓三星存儲器事業(yè)部長全永鉉出任三星SDI代表理事。全永鉉曾任樂金半導(dǎo)體DRAM開發(fā)組，1999年轉(zhuǎn)任三星電子，先后擔(dān)任DRAM開發(fā)室長、Flash開發(fā)室長、策略營銷組長等職，2015年成為存儲器事業(yè)部長，可說是三星發(fā)展DRAM與NAND Flash的重要人物。

盡管不少人猜測，三星有意將三星電子的成功經(jīng)驗(yàn)復(fù)制到三星SDI，但當(dāng)時正值三星存儲器供不應(yīng)求，價格不斷沖高之際，三星卻將存儲器核心人力調(diào)往三星SDI令人不解。

1970年成立的三星SDI，并非三星集團(tuán)的主力公司，受關(guān)注程度不及三星電子，事業(yè)項(xiàng)目也進(jìn)行過多次調(diào)整。早期三星SDI生產(chǎn)映像管(CRT)，2014年整并第一毛織材料事業(yè)，能源解決方案與電子材料為目前的兩大發(fā)展主軸。

審視三星集團(tuán)龐大且復(fù)雜的循環(huán)出資圖，可發(fā)現(xiàn)三星物產(chǎn)－三星電子－三星SDI－三星物產(chǎn)這條循環(huán)出資路徑，三星SDI對第三代繼承經(jīng)營權(quán)轉(zhuǎn)移扮演關(guān)鍵角色，其背后最大股東則是三星電子。

據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，2018年底三星針對想轉(zhuǎn)赴大陸半導(dǎo)體企業(yè)任職的離職主管，提出禁止轉(zhuǎn)職假處分。2017年底三星發(fā)布定期人事異動，曾將這名高層派至三星SDI策略營銷室，不久后該名高層就以個人因素為由提出辭呈，隨即在2018年第3季進(jìn)入合肥長鑫上海DRAM設(shè)計(jì)部門，這在韓國企業(yè)顯得極不尋常。

中國大陸喊出半導(dǎo)體崛起口號后，約從2~3年前開始研發(fā)存儲器，最早先從同文同種的中國臺灣業(yè)界挖角，之后將延攬目標(biāo)轉(zhuǎn)向韓國，逐漸以韓國工程師取代臺灣工程師，期透過挖角人才快速提升競爭力。

短期而言，中國大陸發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)并不會對三星及韓國存儲器霸主地位構(gòu)成威脅，反觀目前DRAM價格不斷下滑、需求縮減與庫存升高，恐怕才是三星應(yīng)盡早解決的當(dāng)務(wù)之急。展望未來，就算中國大陸DRAM順利量產(chǎn)，所要面對的智財(cái)權(quán)(IP)問題恐怕相當(dāng)棘手。