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          意法半導(dǎo)體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應(yīng)用性能

          作者: 時間:2019-04-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          中國,2019年4月30日——的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止()技術(shù),可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級產(chǎn)品。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201904/400124.htm

          新HB2系列屬于STPOWER?產(chǎn)品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導(dǎo)通性能極其出色;更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關(guān),提高動態(tài)開關(guān)性能;出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同時新系列還是市場上極具競爭力的產(chǎn)品。

          HB2系列IGBT提供三個內(nèi)部二極管選項:全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護(hù)二極管,從而為開發(fā)者提供更多的自由設(shè)計權(quán),根據(jù)特定應(yīng)用需求優(yōu)化動態(tài)性能。

          新650V器件的首款產(chǎn)品40A STGWA40HP65FB2現(xiàn)已上市,采用TO-247長引腳封裝。

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