國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體重大突破 7納米時(shí)代已不遠(yuǎn) 支持投資5700億元

在今年的全國(guó)電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上，公布了去年我國(guó)在集成電路產(chǎn)業(yè)的銷售業(yè)績(jī)已經(jīng)攀升到6532億元，這是一個(gè)非?？捎^的體量。其中工藝級(jí)別發(fā)展到具備世界先進(jìn)設(shè)計(jì)水平的7納米級(jí)別，而14納米級(jí)的工藝即將投入量產(chǎn)，但與國(guó)外同期來(lái)說(shuō)仍有兩代差距。

半導(dǎo)體既是一個(gè)技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，涵蓋了材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)械、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、微電子、數(shù)學(xué)等系統(tǒng)的理工技術(shù)。同時(shí)也是資金和創(chuàng)意密集型產(chǎn)業(yè)，一臺(tái)光刻機(jī)需要1億美元，打一層光掩膜需要1萬(wàn)美元，而通常一個(gè)芯片30需要層以上；芯片設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)至少需要10年以上實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)，才能滿足針對(duì)不同市場(chǎng)、不同客戶。相比較臺(tái)積電和韓國(guó)三星在7納米級(jí)半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)展開(kāi)的激烈競(jìng)爭(zhēng)。

中芯國(guó)際從28納米走到14納米FinFET技術(shù)是極為不容易的。中芯國(guó)際身為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的領(lǐng)頭羊，因?yàn)槿瞬旁?，使得自身的技術(shù)工藝停滯了近4年，被前身是華為集成電路設(shè)計(jì)中心的海思半導(dǎo)體反超。去年引進(jìn)了尖端人才，來(lái)自三星、臺(tái)積電的前研發(fā)高層梁孟松先生后，取得重大的突破。這次讓國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)跨上一個(gè)新臺(tái)階的14納米FinFET是極其重要的。

全球能夠?qū)嶋H量產(chǎn)FinFET架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)巨頭如英特爾、臺(tái)積電、三星，都是憑借該技術(shù)架構(gòu)繼續(xù)延續(xù)摩爾定律的壽命。哪怕是再往前突破進(jìn)入7納米級(jí)別，仍然離不開(kāi)該技術(shù)。當(dāng)前國(guó)際、國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體市場(chǎng)前景十分看好，2017年韓國(guó)三星和美國(guó)蘋(píng)果都是全球排名前三的半導(dǎo)體采購(gòu)商，其中三星和蘋(píng)果在電子芯片采購(gòu)方面的花費(fèi)都在38-43億美元不等。從2017年開(kāi)始我國(guó)的資金和政策開(kāi)始雙投入支持半導(dǎo)體行業(yè)。

通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)晶圓廠的統(tǒng)計(jì)顯示，目前在建廠區(qū)已有15座，合計(jì)投資高達(dá)5700億元，預(yù)計(jì)在2020年左右投產(chǎn)。當(dāng)今社會(huì)的移動(dòng)終端如手機(jī)、電腦的升級(jí)換代加速，也極大刺激了半導(dǎo)體芯片的需求。在巨大的市場(chǎng)需求到退下，中國(guó)的半導(dǎo)體科研工藝技術(shù)加速發(fā)展，勢(shì)在必行。在整個(gè)行業(yè)的管理上，資金、設(shè)備、技術(shù)和智力的高度集中，導(dǎo)致內(nèi)部的協(xié)調(diào)管理要求精細(xì)化程度非常高。

失之毫厘差之千里，一個(gè)細(xì)微的錯(cuò)誤，都能夠?qū)е聰?shù)以千萬(wàn)計(jì)的人力和研發(fā)成本付諸東流。所以中國(guó)集成電路和半導(dǎo)體的發(fā)展追趕之路依舊是漫長(zhǎng)的，需要我們長(zhǎng)期的巨額投入和腳踏實(shí)地的去積累經(jīng)驗(yàn)。