首期年產(chǎn)3000萬顆UV LED芯片，山西中科潞安紫外光電項目投產(chǎn)

近日，山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟授牌儀式、中科潞安半導體技術研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產(chǎn)儀式在中科潞安紫外光電科技有限公司舉行。

山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示，中科潞安深紫外LED項目分兩期建設，總投資約20億元。其中，一期工程為年產(chǎn)3000萬顆紫外LED芯片項目，投資5.4億元；二期工程為年產(chǎn)2億顆紫外LED芯片項目，投資15億元。

中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示，該項目于2018年12月完成項目的核心建設，經(jīng)過5個月的調(diào)試運轉(zhuǎn)和工藝驗證，項目產(chǎn)線設備狀態(tài)和生產(chǎn)能力穩(wěn)健提升和完善，并于2019年5月30日正式投產(chǎn)。

此外，李晉閩還表示，未來隨著設計的年產(chǎn)3000萬顆深紫外LED的產(chǎn)能逐步釋放至滿產(chǎn)，將啟動更大規(guī)模的億顆深紫外LED芯片的二期建設，逐步規(guī)劃對接資本市場。

會上，由中科潞安紫外光電科技有限公司、中科潞安半導體技術研究院等半導體相關“產(chǎn)學研用”單位組建的山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式揭牌，中科潞安半導體技術研究院也正式落成。