宜普電源轉(zhuǎn)換公司提供氮化鎵(eGaN?)功率器件的晶圓

EPC公司宣布推出領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的增強(qiáng)型氮化鎵器件的晶圓，使得客戶易于集成功率系統(tǒng)。EPC公司的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）及集成電路一直以來都是以單個并包含錫條或錫球的芯片級器件出售。

采用芯片級封裝的器件更高效，因為該封裝可以使得氮化鎵（eGaN）功率晶體管具備更低的阻抗、電感、尺寸、熱阻及成本，從而可以實現(xiàn)前所未有的電路性能及成本效益。

這些器件的晶圓可以使得客戶更易于在組裝時集成功率系統(tǒng)、進(jìn)一步減低在PC板上器件相互連接時的電感及所需的間隙空間，從而提高效率、增加功率密度而同時降低組裝成本。

宜普公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow說，“我們聆聽合作伙伴的需要，為客戶提供領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的氮化鎵產(chǎn)品的晶圓以配合多樣化的組裝技術(shù)及應(yīng)用所需”。

EPC提供氮化鎵（eGaN）功率器件的晶圓，可以包含或不包含錫球。也可以提供額外的服務(wù)，例如薄化晶圓、提供晶圓背面金屬鍍層或晶背保護(hù)膠帶。