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          怎么選擇三極管和場效應(yīng)管,看這篇就夠了

          作者: 時間:2019-06-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著電子設(shè)備升級換代的速度,大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中,不僅是開關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管,因此正確挑選場效應(yīng)晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一,也是極其重要的一個環(huán)節(jié),場效應(yīng)晶體管的挑選,有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費,挑選場效應(yīng)晶體管,可以從下列六大技巧下手。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201906/401877.htm

          1.溝道類型

          挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中,當(dāng)1個場效應(yīng)晶體管接地,而負(fù)載接入到干線電壓上時,該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管,它是出自于對關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。當(dāng)場效應(yīng)晶體管接入到總線及負(fù)載接地時,就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓?fù)渲羞x用P溝道場效應(yīng)晶體管,這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

          2.額定電壓

          明確需用的額定電壓,或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大,電子元件的成本就越高。按照實踐證明,額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護,使場效應(yīng)晶體管不會失靈。

          就挑選場效應(yīng)晶體管來講,務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓,即最大VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵。我們須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍,保障電路不會無效。需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品(如電機或變壓器)引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同;一般來說,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。

          3.額定電流

          該額定電流應(yīng)是負(fù)載在全部狀態(tài)下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似,保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流,即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。2個考慮的電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導(dǎo)通模式下,場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài),這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌(或尖峰電流)流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流,只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。

          4.導(dǎo)通損耗

          在實際情況下,場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件,歸因于在導(dǎo)電過程中會有電能消耗,這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時好比一個可變電阻,由電子元件的RDS(ON)所確認(rèn),并隨溫度而明顯變動。電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估算,因為導(dǎo)通電阻隨溫度變動,因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越??;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS(ON)電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。

          5.系統(tǒng)散熱

          須考慮二種不一樣的情況,即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結(jié)果,由于這一結(jié)論提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù);電子元件的結(jié)溫相當(dāng)于最大環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的最大功率損耗,即按定義相當(dāng)于I2×RDS(ON)。我們已即將通過電子元件的最大電流,能夠估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。

          雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出最高值,并產(chǎn)生強電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力,最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。

          6.開關(guān)性能

          影響開關(guān)性能的叁數(shù)有好多,但最關(guān)鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因為在每一次開關(guān)時都要對它們充電。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度因而被減少,電子元件效率也降低。為計算開關(guān)過程中電子元件的總耗損,要計算開通過程中的耗損(Eon)和關(guān)閉過程中的耗損(Eoff)。場效應(yīng)晶體管開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。

          晶體選用技巧

          必須了解晶體管的類型和材料,常用的有NPN和PNP兩種,這兩種管工作時對電壓的極性要求不同,所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。額材料有鍺材料和硅材料,它們之前最大的差異就是其實電壓不一樣。在放大電路中,假如使用同類型的鍺管代替同類型的硅管,反之替換,一般都是可以的,但都要在基極偏置電壓上進(jìn)行必要的調(diào)整。因為他們的起始電壓不一樣,但是在脈沖電路和開關(guān)電路中不同材料的是否能互換必須進(jìn)行具體的分析,切不可盲目代換。

          選取只要三步:

          ●選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)

          ●確定的額定電流,選好額定電流以后,還需計算導(dǎo)通損耗。

          ●確定熱要求,設(shè)計人員在設(shè)計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結(jié)果計算,因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,能夠確保系統(tǒng)不會失效。



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