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          Mini-LED顯示與Micro-LED 顯示淺析

          作者: 時(shí)間:2019-07-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            林偉瀚,楊梅慧(康佳集團(tuán)股份有限公司, 廣東 深圳 518053)

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201907/402145.htm

            摘要:液晶面板顯示因技術(shù)成熟、性價(jià)比高目前仍占顯示行業(yè)主導(dǎo)地位。Micro-LED由于其優(yōu)秀顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點(diǎn),Mini-LED則是其過渡產(chǎn)品。對比了、、Mini-LED和特性。Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可變性等方面性能優(yōu)異。而Mini-LED結(jié)合8K及QD技術(shù)將達(dá)到畫質(zhì),并且可靠性和成本占優(yōu)勢。

            關(guān)鍵詞:;;;

            0 引言

            目前LED背光的LCD在市場上仍然占據(jù)主導(dǎo)位置。雖然有OLED新技術(shù)的產(chǎn)生,但液晶電視由于其細(xì)膩的解析度以及成熟的生產(chǎn)技術(shù)和普眾的價(jià)格,目前以及以后幾年也仍然會(huì)是主流。作為被動(dòng)式發(fā)光的顯示器件,其光源利用效率及主觀畫質(zhì)很難提升。目前手機(jī)、電視行業(yè)迅速發(fā)展的OLED面板技術(shù)已經(jīng)擁有諸多技術(shù)優(yōu)勢,如省電、輕薄、可彎曲等特點(diǎn),但是其弱點(diǎn)也是非常明顯的,如燒屏、壽命短等問題。只不過由于手機(jī)的壽命較短,用戶換機(jī)時(shí)間一般在兩年以內(nèi),影響較??;而電視用的大尺寸OLED面板面積大、使用壽命往往達(dá)10年,影響就較為明顯。同時(shí),隨著第三代顯示的需求推動(dòng)和技術(shù)發(fā)展,Micro-LED由于其優(yōu)異的電流飽和密度 [1] 、更高的量子效率以及高可靠性,已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點(diǎn),在顯示,VLC通訊 [2][3] 等方面被廣泛研究。由于Micro-LED的技術(shù)門檻高,產(chǎn)品應(yīng)時(shí)而生,結(jié)合現(xiàn)有的8K及QD技術(shù),有破壁OLED的趨勢。如今隨著市場需求驅(qū)動(dòng)以及技術(shù)迭代,顯示技術(shù)已經(jīng)由畫質(zhì)與內(nèi)容的二代技術(shù)逐漸過渡到第三代。行業(yè)內(nèi)眾多廠家如三星、蘋果、友達(dá)等已加大對三代顯示技術(shù)的研發(fā)和投入。

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            1 LCDOLEDMini-LED對比

            LED chip 從現(xiàn)有的mm級(jí)別,縮小到十分之一的100mm級(jí)別為Mini-LED,縮小到百分之一的10mm級(jí)別為Micro-LED。也有人用是使用SMT工藝還是使用巨量轉(zhuǎn)移工藝作為Mini-LED與Micro-LED顯示的區(qū)別。Mini-LEDMicro-LED與OLED均屬于主動(dòng)型自發(fā)光顯示,光的利用率高。而LCD則是被動(dòng)型發(fā)光顯示,面板本身不發(fā)光,需要背光源提供光源。因LCD面板透過率只有3%-8%,光源利用率低,亮度比較難做上去。面板的穿透率取決于開口率,影響因素包括像素之間的遮光罩、電極與彩色濾光板的穿透比例。因RGB 4K分辨率的玻璃的像素點(diǎn)數(shù)量是FHD面板像素點(diǎn)的4倍,每個(gè)像素點(diǎn)對應(yīng)一套遮光罩和TFT及電容CF膜,到達(dá)4K、8K之后,每個(gè)像素點(diǎn)對應(yīng)的開口率成倍減小,因此高解析度的LCD顯示亮度更難做上去。各顯示技術(shù)的性能對比如下表1.如表中顯示,OLED、Mini-LEDMicro-LED在亮度、對比度等畫質(zhì)方面優(yōu)于LCD,但OLED在殘影、壽命、解析度等方面較差。Mini-LED RGB性能優(yōu)異,但在尺寸上受限,PPI到達(dá)值低,觀看距離要求較高。而Mini-LED +LCD解決了上述缺點(diǎn)。

            2 Micro-LED顯示

            Micro-LED按彩色化技術(shù)分有RGB三色LED芯片、藍(lán)光單色芯片加RG量子點(diǎn)材料混光、藍(lán)綠光芯片加R量子點(diǎn)/KSF粉混光等3個(gè)方向,如圖1。后面2種方案熒光粉無法做薄,存在應(yīng)力,無法做到微小尺寸 [4] ,而鎘化物也存在穩(wěn)定性和壽命問題 [5] ,故目前出來的大多數(shù)顯示產(chǎn)品采用RGB三色LED芯片方案。此種方案的發(fā)光光譜如圖2。

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            Micro-LED RGB三色芯片方案因?yàn)椴牧项悇e統(tǒng)一為半導(dǎo)體Ш-V族材料,響應(yīng)性能優(yōu)異,為ns級(jí)別,材料性能穩(wěn)定,可靠性高,發(fā)光效率好,顏色純度高、可透明。這些優(yōu)異性能在高亮高色域需求的顯示產(chǎn)品上占盡優(yōu)勢,如大屏顯示,AR/VR產(chǎn)品、抬頭顯示(HUD)、控制指揮中心屏幕等應(yīng)用。其高響應(yīng)速率在光通信行業(yè)也得到應(yīng)用。但在技術(shù)上,RGB三色芯片的電壓壓差產(chǎn)生的熱量及功率耗損需要解決。目前已經(jīng)研發(fā)出共陰方案的驅(qū)動(dòng)芯片如聚積的5759,問題得到了較大改善。同時(shí),Micro-LED RGB屬于電流型驅(qū)動(dòng),由于RGB三種芯片的發(fā)光效率不一致,為了得到目標(biāo)色溫6000 K-10000 K,三種芯片的電流大小不一樣,紅光R芯片要求的電流較大,電源的電流均勻性需要特殊設(shè)計(jì)。為保證電流穩(wěn)定性及電源設(shè)計(jì)可靠性,目前普遍使用PWM控制電流脈寬來調(diào)節(jié)各芯片平均電流大小的形式來實(shí)現(xiàn)混光。最優(yōu)方案是使用CMOS的AM矩陣驅(qū)動(dòng)TFT基板,目前在驅(qū)動(dòng)材料方面仍在優(yōu)化。目前已有2~8英寸的AM基板驅(qū)動(dòng)的Micro-LED顯示產(chǎn)品,如龍達(dá)的車載顯示,Plessey的單片硅基氮化鎵(GaN-on-Si)微型LED與Jasper Display Corp的eSP70硅基板技術(shù)的晶圓級(jí)鍵合樣品等。但中大尺寸還未有樣品展出。

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            Micro-LED具有優(yōu)異性能,目前桎梏其發(fā)展的主要點(diǎn)是巨量轉(zhuǎn)移的工藝問題。巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要分類為拾取放置技術(shù)、微印章轉(zhuǎn)移技術(shù)(μTP ) [6] 、流體組裝技術(shù)、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)、滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)等幾種,不同轉(zhuǎn)移公司其發(fā)展的轉(zhuǎn)移技術(shù)會(huì)有所不同 ,最主要的原因是不同應(yīng)用產(chǎn)品所適合的轉(zhuǎn)移技術(shù)也會(huì)有所不同。巨量轉(zhuǎn)移涉及到襯底剝離、轉(zhuǎn)移、鍵合,工藝精度要求高,設(shè)備需要定制,目前還未出現(xiàn)可以實(shí)現(xiàn)批量的設(shè)備。按照計(jì)算,4K顯示需要轉(zhuǎn)移24,883,200顆芯片,8K顯示則需要轉(zhuǎn)移一億顆芯片,如此巨量的數(shù)字燈板制程中的轉(zhuǎn)移速率需要幾百K每小時(shí)以上。目前常規(guī)SMT設(shè)備速率是每小時(shí)幾十K,經(jīng)過改進(jìn)后用于Mini-LED轉(zhuǎn)移的設(shè)備速率可以達(dá)到150K每小時(shí)左右,離真正的巨量轉(zhuǎn)移還有一段距離。除了轉(zhuǎn)移問題,由于每臺(tái)顯示產(chǎn)品使用的LED芯片巨量數(shù)字,對于芯片的良率、均勻性也提出了很大的考驗(yàn)。目前常規(guī)芯片按2.5 nm步長分bin,要做到Micro-LED顯示,其芯片分bin步長要做到1 nm以內(nèi)。因目前wafer端很難達(dá)到這個(gè)級(jí)別,部分應(yīng)用端也采用了軟硬件矯正的方式來提高畫面均勻性。

            3

            由于Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)還未達(dá)到可批量水平,技術(shù)門檻相對較低的Mini-LED顯示得到了較快的發(fā)展。像素pitch值在0.9 mm以上的可歸類為小間距顯示范疇,像素pitch值在0.9 mm以下轉(zhuǎn)移用pick-up方式的歸類為Mini-LED,目前能做到的最小像素間距在0.49 mm。Micro-LED需要使用光刻技術(shù)的驅(qū)動(dòng)基板,而Mini-LED可以使用光刻技術(shù)的驅(qū)動(dòng)基板,也可以使用BT板,甚至高精密玻纖板,因此不受面板廠的基板綁定,Mini-LED顯示產(chǎn)品得到蓬勃發(fā)展。目前索尼、三星及國內(nèi)一些廠家均展出了Mini-LED RGB顯示產(chǎn)品,2019年開始可實(shí)現(xiàn)批量。

            如表1所示,Mini-LED RGB顯示擁有與Micro-LED顯示相同的優(yōu)異性能,只是在尺寸及PPI上面受到限制。由于PPI做不高,Mini-LED RGB只能應(yīng)用在大尺寸顯示如指揮中心大屏、墻幕顯示及大尺寸電視等,如三星的The Wall。為了打破這個(gè)限制,結(jié)合現(xiàn)在的其他技術(shù)熱點(diǎn),出現(xiàn)了Mini-LED背光加液晶玻璃的顯示產(chǎn)品,如圖4.康佳2019年1月CES展出的65英寸Mini-LED電視,結(jié)合量子點(diǎn)技術(shù)及背光巨量分區(qū)技術(shù),其畫面的色彩飽和度和動(dòng)態(tài)對比度與OLED不相上下,分辨率甚至可做到8K,成本比OLED低但可靠性和壽命高。目前其他電視機(jī)廠已經(jīng)相繼展出一些類似產(chǎn)品。從產(chǎn)品創(chuàng)新層面看,對比度、色域、響應(yīng)時(shí)間、功耗等一直都是屏幕創(chuàng)新的幾個(gè)核心戰(zhàn)場,所以高端中大尺寸產(chǎn)品支持WCG與高對比度為未來重要產(chǎn)品差異化,也是中大尺寸產(chǎn)品下一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新。由于OLED應(yīng)用于大尺寸還不成熟,而Mini LED BLU為最佳解決方案。蘋果近期亦放出消息將在其MacBook、iPad和iMac 2020年的產(chǎn)品上使用Mini-LED背光。各廠家對此均進(jìn)行了較大研發(fā)投入。Mini-LED +LCD的形式由于可以做到OLED的性能并且做到高PPI高解析度,且技術(shù)成熟成本低,有望在2019年實(shí)現(xiàn)批量。

            4 結(jié)論

            Micro-LED和Mini-LED顯示產(chǎn)品性能優(yōu)異、應(yīng)用領(lǐng)域廣、市場需求驅(qū)動(dòng)旺盛。以上各要素將驅(qū)動(dòng)其技術(shù)的發(fā)展及市場的熱度。Micro-LED顯示如下驅(qū)動(dòng)要素部分需要攻克,如具備可量產(chǎn)工藝技術(shù)、低成本的大規(guī)模生產(chǎn)、集成性強(qiáng)、技術(shù)、資源以及資本的整合等。高速和高良率巨量轉(zhuǎn)移、鍵合及顏色均勻性問題是急需解決的難題。因此Micro-LED顯示在近期還無法形成主流顯示技術(shù)。但其過渡產(chǎn)品Mini-LED顯示結(jié)合8K技術(shù)及5G通訊技術(shù),在技術(shù)及工藝上均得以實(shí)現(xiàn),產(chǎn)品性能優(yōu)異,將會(huì)成為近兩年各廠家大力角逐的方向。

            參考文獻(xiàn)

            [1]Chao Tian,Shu- xu Guo,Jing- qiu Liang, et al.Effects of unit size on current density andilluminance of micro- LED- array[J].Opto-electronics Letters,2017,13(2):84-89.

            [2]MOHAMED SUFYAN ISLIM,RICARDO X.FERREIRA,XIANGYU HE,etc.Towards 10 Gb/sorthogonal frequency division multiplexing-based visible light communication using a GaN violetmicro-LED[J].Photonics Research,2017,5(2):A35-A43.

            [3]田朋飛,顧而丹,劉冉,等.氮化鎵基Micro-LED的研究現(xiàn)狀[J].光源與照明,2018,1:1-4.

            [4]李繼軍,聶曉夢,李根生,等.平板顯示技術(shù)比較及研究進(jìn)展[J].中國光學(xué),2018,11(5):706.

            [5]梅芳,何錫文,李娟,等.水溶性CdSe/CdS核殼納米粒子制備的影響因素及其對CdSe/CdS光譜特性的影響[J].化學(xué)學(xué)報(bào),2006,64(22):2265-2270.

            [6]邰建鵬,郭偉玲.Micro LED 顯示技術(shù)研究進(jìn)展[J].照明工程學(xué)報(bào),2019,30(1):18-24.

            作者簡介:

            林偉瀚,男,(1984-),2007年畢業(yè)于華南理工大學(xué)光信息科學(xué)與技術(shù)&工商管理雙專業(yè),工學(xué)學(xué)士。

            在康佳集團(tuán)從事12年的平板電視及背光模組研發(fā)工作,現(xiàn)任康佳集團(tuán)多媒體研發(fā)中心副總經(jīng)理,兼任工業(yè)設(shè)計(jì)與顯示設(shè)計(jì)中心總經(jīng)理。 為國內(nèi)首批電視顯示相關(guān)光電技術(shù)專業(yè)人才,12年來一直致力于行業(yè)新型顯示技術(shù)的開發(fā)研究工作,是康佳集團(tuán)新型顯示技術(shù)的領(lǐng)軍人物。

            參與的重大項(xiàng)目有:

            1、主導(dǎo)完成康佳從CCFL、LCD、LED到OLED及Micro LED各代顯示技術(shù)的攻關(guān)工作;

            2、作為主導(dǎo)單位帶頭人完成行業(yè)《曲面液晶電視通用標(biāo)準(zhǔn)》的制定;

            3、2018年深圳市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng),作為第八完成人的項(xiàng)目《支持下一代互聯(lián)網(wǎng)的智能終端系統(tǒng)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》獲得深圳市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng);

            4、作為模組技術(shù)負(fù)責(zé)人參與深圳市工業(yè)和信息化局的《基于“輕打擾,懸浮式”智能交互及個(gè)性化內(nèi)容定制電視操作系統(tǒng)》項(xiàng)目;

            5、作為光電技術(shù)負(fù)責(zé)人參與國家工信部的《基于人工智能技術(shù)的新型數(shù)字家庭示范項(xiàng)目》項(xiàng)目,獲得國家工信部的公示認(rèn)定;

            6、作為模組技術(shù)負(fù)責(zé)人參與深圳市工業(yè)和信息化局的《基于AVS2.0高集成度國產(chǎn)TVSoC芯片的4K電視研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目。

            個(gè)人獲得榮譽(yù)有:

            “康佳之翼”大獎(jiǎng)——康佳集團(tuán)技術(shù)類研發(fā)最高獎(jiǎng)項(xiàng);個(gè)人榮獲中國電子視像行業(yè)“2018年度彩虹獎(jiǎng)”(技術(shù)最高獎(jiǎng))

            擁有8項(xiàng)發(fā)明專利、11項(xiàng)實(shí)用新型專利。

            楊梅慧,女,碩士,高級(jí)工程師,研究方向:電視技術(shù)

            本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第7期第65頁,歡迎您寫論文時(shí)引用,并注明出處




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