1nm可期！ASML研發(fā)第二代EUV光刻機

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半導體制造過程中最復雜也是最難的步驟就是光刻，光刻機也因此成為最重要的半導體制造設備。

在7nm制程的較量中，臺積電之所以能夠領先，一個很重要的原因就是EUV技術，在半導體制造的工藝中，這部分的成本就能占到33%左右。

目前最先進的光刻機就是來自這家ASML公司生產的EUV光刻機，每臺售價超過1億美元，而且供不應求。

ASML的主要客戶為全球一線的晶圓廠，除了英特爾、三星和臺積電這三大巨頭之外，國內的中芯國際也是ASML的客戶。

有外媒報道稱，ASML公司目前正積極投資研發(fā)新一代EUV光刻機。

和往代的相比，新款EUV光刻機最大的變化就是高數(shù)值孔徑透鏡，通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產時間是2024年，不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產，這個時間上臺積電、三星都已經量產3nm工藝了，甚至開始沖擊2納米、1納米。