GaN材料的優(yōu)勢(shì)和EPC的技術(shù)產(chǎn)品

EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，率先推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。近日，電子產(chǎn)品世界的記者訪問(wèn)了EPC公司的相關(guān)負(fù)責(zé)人，請(qǐng)他們介紹了GaN材料的優(yōu)勢(shì)及EPC產(chǎn)品。

問(wèn)：與當(dāng)下常用的Si MOSFET功率器件相比，GaN器件具有哪些優(yōu)于MOSFET 的特殊材料特點(diǎn)？

答：與MOSFET和IGBT相比，硅基氮化鎵（GaN）晶體管具更快速的開(kāi)關(guān)速度，約比前者快10倍，比后者快約100倍。這種高頻特性，使其可用于許多新的應(yīng)用中，如4G/LTE基站的RF包絡(luò)跟蹤技術(shù)、自功駕駛汽車(chē)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、安保系統(tǒng)及無(wú)線電源應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)。

此外，與硅MOSFET相比，氮化鎵晶體管在體積上要小得多，約比硅MOSFET小5至10倍。這樣，設(shè)計(jì)人員就可以顯著地提高其設(shè)計(jì)的功率密度。

使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）和集成電路，設(shè)計(jì)人員可降低傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗、電容損耗，還可降低驅(qū)動(dòng)功率，減小器件的體積和降低成本。采用基于氮化鎵材料的器件，可提高產(chǎn)品的性能及降低成本，這一切都意味現(xiàn)在該是創(chuàng)新功率設(shè)計(jì)師采用GaN器件的時(shí)候了。

問(wèn)：貴司的GaN器件及技術(shù)的市場(chǎng)前景如何？

答：利用GaN優(yōu)異性能的應(yīng)用繼續(xù)擴(kuò)展，同時(shí)，GaN用戶的知識(shí)基礎(chǔ)不斷拓寬。目前，全球我們已經(jīng)可以看到，GaN使能的自動(dòng)駕駛汽車(chē)行駛在路上。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路大大改善了面向高速、節(jié)能的包絡(luò)跟蹤供電的數(shù)字通信。此外，大面積無(wú)線電源的出現(xiàn)，無(wú)線世界的夢(mèng)想可進(jìn)一步得以實(shí)現(xiàn)。

此外，在EPC最新一代場(chǎng)效應(yīng)晶體管和新型集成電路跑贏大市的背景下，GaN技術(shù)繼續(xù)發(fā)展，同時(shí)，該技術(shù)在成本上與硅基產(chǎn)品相約。產(chǎn)品具備優(yōu)異的性能并加上其極具競(jìng)爭(zhēng)能力的定價(jià)，激勵(lì)傳統(tǒng)上保守的設(shè)計(jì)工程師開(kāi)始在不同的應(yīng)用中使用GaN器件，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器及自動(dòng)駕駛汽車(chē)等應(yīng)用。目前的趨勢(shì)已經(jīng)看到，新型48 VIN  DC/DC供電（隔離型和非隔離型）在高端計(jì)算和自動(dòng)駕駛汽車(chē)應(yīng)用采用了EPC最新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）。

氮化鎵器件可以大大提升電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能，是基于它的優(yōu)勢(shì)——它在相同的襯底上可以同時(shí)集成功率級(jí)和信號(hào)級(jí)器件。在過(guò)去的數(shù)年間，EPC（宜普公司）努力不懈地開(kāi)發(fā)出客戶專(zhuān)用的GaN集成電路。當(dāng)推出更復(fù)雜的基于單片GaN集成電路的解決方案后，其電路性能比硅基解決方案更為優(yōu)越，而且對(duì)于電源系統(tǒng)工程師來(lái)說(shuō)，采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，更容易完善其設(shè)計(jì)。