ROHM面向車載系統(tǒng)開發(fā)出200V耐壓肖特基勢壘二極管RBxx8BM/NS200

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)，開發(fā)出200V耐壓的超低I_R^※1肖特基勢壘二極管^※2（以下簡稱SBD）RBxx8BM200和RBxx8NS200。

RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品是可在高溫環(huán)境下工作的超低I_R SBD，已經(jīng)在日本國內(nèi)的汽車市場取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次，利用其超低I_R特性，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)200V的耐壓，可替換以往在汽車中普遍使用的整流二極管^※3和快速恢復(fù)二極管^※4（以下簡稱FRD），因此可顯著改善V_F^※5特性（比以往FRD低約11％）。不僅有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗，還可因發(fā)熱量降低而實(shí)現(xiàn)小型封裝設(shè)計(jì)，從而進(jìn)一步節(jié)省空間。

本產(chǎn)品已于2019年7月份開始出售樣品（樣品價(jià)格250日元／個(gè)，不含稅），預(yù)計(jì)將于2019年9月開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Wako Co., Ltd.（日本岡山），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）和ROHM Korea Corporation（韓國）。

＜開發(fā)背景＞

ROHM已實(shí)現(xiàn)可在車載的高溫環(huán)境下使用的耐壓達(dá)150V的超低I_R SBD RBxx8系列的量產(chǎn)，并已獲得高度好評。近年來，在48V輕度混合動力等驅(qū)動系統(tǒng)中，將電機(jī)和外圍部件集成于1個(gè)模塊的“機(jī)電一體化”已成為趨勢技術(shù)，能夠在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率SBD的需求日益高漲。而另一方面，在以往使用150V產(chǎn)品的系統(tǒng)中，高性能化和高可靠性要求越來越嚴(yán)格，因此要求SBD要具有更高的耐壓性能。

在這種背景下，ROHM在RBxx8系列的產(chǎn)品陣容中新增加了200V耐壓的產(chǎn)品。未來，羅姆將進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，為車載和工業(yè)設(shè)備等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步降低功耗、節(jié)省空間貢獻(xiàn)力量。

＜特點(diǎn)＞

在高溫環(huán)境下使用的車載和電源設(shè)備的電路，希望將以往的整流二極管和FRD替換為效率性能更優(yōu)異的SBD。然而另一方面，SBD存在的問題是隨著工作環(huán)境溫度上升，I_R特性會惡化，容易引發(fā)熱失控，因此對于高效率且在高溫環(huán)境下也可安全使用的產(chǎn)品開發(fā)需求越來越強(qiáng)烈。

RBxx8系列采用非常適用于高溫環(huán)境的阻擋金屬，大大改善了在車載和電源設(shè)備的電路中使用SBD時(shí)的最大課題--I_R特性，成功打造了在車載和工業(yè)設(shè)備等高溫環(huán)境下也可安全使用、無需擔(dān)心熱失控的SBD系列產(chǎn)品。

1.替換FRD，有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗

擁有超低I_R特性，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)200V的耐壓，從而可將以往在需要200V耐壓的車載系統(tǒng)中使用的FRD替換為SBD。RBxx8BM/NS200與FRD產(chǎn)品相比，V_F特性可降低約11％，有助于應(yīng)用的低功耗化。

2.發(fā)熱量減少，可小型封裝設(shè)計(jì)，有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)省空間

更低V_F可抑制發(fā)熱量，因此與以往產(chǎn)品相比，可實(shí)現(xiàn)同一尺寸小型封裝設(shè)計(jì)。

目前，中等功率封裝品也在開發(fā)中，未來，曾經(jīng)使用的5.9×6.9mm尺寸FRD產(chǎn)品將能夠被替換為2.5×4.7mm的小型封裝產(chǎn)品，安裝面積可削減71%。

＜產(chǎn)品陣容＞

此次新增加的200V產(chǎn)品包括8款機(jī)型，至此，RBxx8系列的產(chǎn)品陣容已多達(dá)212款機(jī)型。

＜應(yīng)用＞

動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)（xEV等）、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源設(shè)備等。

＜術(shù)語解說＞

※1）I_R（Reverse Current）

施加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。值越小功耗越低。

※2）肖特基勢壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

具有“正向電壓降較小、開關(guān)速度快”特點(diǎn)的二極管。主要用于開關(guān)電源等。

※3）整流二極管（Rectifier Diode）

具有從交流轉(zhuǎn)換為直流功能的二極管。

※4）快速恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode： FRD）

將施加的正向電壓切換為反向電壓時(shí)，瞬間流過的反向電流達(dá)到零的時(shí)間（即反向恢復(fù)時(shí)間）很短的二極管。

※5）V_F （Forward Voltage）

流過正向電流時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。值越小功耗越低。