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          東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)
          
						
          
				作者：
				時間：2019-09-06
				來源：中關(guān)村在線
				
				
				
				
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          據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201909/404512.htm
          據(jù)東芝存儲器表示，這項技術(shù)與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，XL-Flash屬于持久性存儲器，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時性能介于DRAM和NAND之間。雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應(yīng)用程序要求苛刻的訪問速度，但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性，新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問題。
          它是介于DRAM和NAND閃存之間的產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產(chǎn)品為部署，但未來也將擴展到DRAM產(chǎn)品線上。 
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        存儲器
                        XL-Flash
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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