青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

9月19日，在青銅劍科技十周年慶典活動(dòng)上，青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案，采用自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET芯片及車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝，配合穩(wěn)定可靠的碳化硅門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，將有效提升新能源汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能。

（發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)）

根據(jù)《節(jié)能與新能源汽車(chē)技術(shù)路線圖》要求，“到2020年，提升電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能，滿足純電動(dòng)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)動(dòng)力性能要求……逆變器性能和可靠性達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平……電機(jī)控制器實(shí)現(xiàn)比功率不低于30kW/L（SiC）……”。

（解決方案介紹）

碳化硅功率器件具有低損耗、高頻率等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車(chē)、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，發(fā)展?jié)摿O大、市場(chǎng)空間廣闊。基本半導(dǎo)體充分發(fā)揮企業(yè)在碳化硅器件材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈布局的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，自主研發(fā)的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等產(chǎn)品已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車(chē)，至今已累計(jì)無(wú)故障行駛150天、運(yùn)行里程超過(guò)1萬(wàn)公里，是企業(yè)乃至行業(yè)在堅(jiān)持自主創(chuàng)新、芯片國(guó)產(chǎn)化道路上一座重要的里程碑。

基本半導(dǎo)體推出的車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊，內(nèi)部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續(xù)流二極管，通過(guò)單面水冷散熱形式為高效電機(jī)控制器設(shè)計(jì)提供便利。產(chǎn)品充分發(fā)揮碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)，采用最新的碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，柵極電輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項(xiàng)參數(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

根據(jù)不同應(yīng)用需求，青銅劍科技針對(duì)不同廠家的碳化硅器件配套推出了碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案，具有60kHz至100kHz高工作頻率、100kV/μs高抗干擾能力、快速短路保護(hù)響應(yīng)等特點(diǎn)。青銅劍科技碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案有助于充分發(fā)揮碳化硅功率器件高溫、高頻、高壓的優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē)的傳動(dòng)系統(tǒng)、電池充電器、直流變換器，以及工業(yè)的光伏逆變器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、開(kāi)關(guān)模式電源等領(lǐng)域。

新能源汽車(chē)電驅(qū)控制器廠商采用車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊及碳化硅門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可研制新一代新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)逆變器，實(shí)現(xiàn)最大功率150kW@800Vdc，最大工作開(kāi)關(guān)頻率100kHz，輸入電壓范圍300～800Vdc，三相輸出電流240A，功率密度達(dá)30kW/L。

（全碳化硅器件解決方案）

1200V碳化硅MOSFET芯片

主要特點(diǎn)

■電流等級(jí)50A，導(dǎo)通電阻：Rds(on)@25℃ =32m?

■閾值電壓高:Vgs（th）@25℃  =3 V

■擊穿電壓裕量大：1590V@100uA

■短時(shí)耐受時(shí)間長(zhǎng)：Vdd=800V下，短路時(shí)間大于5us

■通過(guò)1000hr HTRB, P-HTGB, N-HTGB，HSTRB等可靠性測(cè)試

■AEC-Q101認(rèn)證進(jìn)行中

車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET模塊

主要特點(diǎn)

■電壓等級(jí)1200V，電流等級(jí)200A，內(nèi)置半橋電路，易于并聯(lián)應(yīng)用

■單面水冷設(shè)計(jì)，采用高耐熱樹(shù)脂和無(wú)銅板結(jié)構(gòu)，低熱阻工作

■模塊回路有效面積小，內(nèi)部寄生電感低

■采用Lead Frame結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，低雜散電感，高功率密度

■內(nèi)部集成溫度傳感器（NTC），末來(lái)擴(kuò)展集成電流傳感器

碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)板

主要特點(diǎn)

■六通道驅(qū)動(dòng)

■支持高達(dá)100kHz開(kāi)關(guān)頻率

■2us超快短路檢測(cè)時(shí)間

■原副邊欠壓保護(hù)功能

■有源鉗位功能

■高級(jí)軟關(guān)斷（ASSD）

■母線電壓采樣功能

■最高工作環(huán)境溫度105℃