硅單光子探測器取得重要進展

由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔(dān)的國家重點研發(fā)計劃“重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)”重點專項“高靈敏硅基雪崩探測器研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”項目經(jīng)過近兩年的努力，突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設(shè)計、界面電場調(diào)控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出硅單光子探測器樣機。近日，項目順利通過了科技部高技術(shù)中心組織的中期檢查。

硅單光子探測器具有超高靈敏度，是300-1100nm波段超高靈敏探測不可替代的關(guān)鍵芯片，且器件性能穩(wěn)定可靠、易形成面陣，是實現(xiàn)遠(yuǎn)距離精密測量、激光雷達等重大科學(xué)儀器的關(guān)鍵核心部件之一。目前國內(nèi)硅單光子探測芯片主要依賴進口，且陣列芯片禁運。開展硅單光子探測器的自主化研究，對獨立自主研制精密測量、激光雷達等裝備具有重要意義。項目提出了雪崩過程隨機性電場抑制方法，基于國產(chǎn)硅片和研發(fā)平臺，研制出大光敏面、低時間抖動的硅雪崩探測器芯片，開發(fā)了一系列可工程化應(yīng)用的制備關(guān)鍵技術(shù)，并在“北斗系統(tǒng)”開展了激光測距示范應(yīng)用；同時還面向智能交通的市場需求，研制出線性模式硅雪崩探測器。

該項目下一步將加快產(chǎn)品化開發(fā)，提高產(chǎn)品技術(shù)成熟度，加快產(chǎn)品應(yīng)用示范及推廣。