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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2019-10-23
				來源：SEMI大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
				
				
				
				
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          近日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲(chǔ)量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201910/406147.htm
          與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于可以在不適用超高價(jià)的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn)，其在成本上具有競爭優(yōu)勢。
          新款1Z納米DRAM支持高達(dá)3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。
          第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù)，提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。
          接下來，SK海力士計(jì)劃將第三代10納米級(jí)微細(xì)工程技術(shù)擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
          DRAM 1Z開發(fā)事業(yè)TF長李廷燻表示，該芯片計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            SK海力士
                        內(nèi)存
                        1Znm
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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