新思科技和臺(tái)積合作在其5納米 FinFET 強(qiáng)化版N5P制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

臺(tái)積公司5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI

臺(tái)積公司N5P工藝上開(kāi)發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)器、邏輯庫(kù)和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。

STAR Memory System?采用針對(duì)5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測(cè)試、修復(fù)和診斷嵌入式存儲(chǔ)器

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布與臺(tái)積公司(TSMC)達(dá)成合作，在其5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)一系列廣泛的DesignWare?接口IP核、邏輯庫(kù)、嵌入式存儲(chǔ)器和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器(NVM)IP核。依托臺(tái)積公司5奈米（N5）制程開(kāi)發(fā)的DesignWare IP核解決方案，設(shè)計(jì)人員能夠在移動(dòng)和云計(jì)算設(shè)計(jì)方面實(shí)現(xiàn)性能、密度和功耗目標(biāo)。此次合作進(jìn)一步強(qiáng)化了兩家公司長(zhǎng)期合作關(guān)系，為設(shè)計(jì)人員提供降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)芯片差異化和加快產(chǎn)品上市所需的高質(zhì)量IP核。

臺(tái)積公司設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee 表示：“近20年來(lái)，臺(tái)積公司一直與新思科技緊密合作，在最先進(jìn)的工藝上提供經(jīng)驗(yàn)證的廣泛DesignWare IP核，幫助共同客戶加快推出產(chǎn)品。我們對(duì)此次合作成果感到非常滿意，它令設(shè)計(jì)人員能夠加快其先進(jìn)的移動(dòng)和云計(jì)算芯片項(xiàng)目的進(jìn)度，同時(shí)獲得臺(tái)積公司最新業(yè)界領(lǐng)先制程技術(shù)所帶來(lái)的全面性能和功耗優(yōu)勢(shì)，?！?/p>

新思科技解決方案事業(yè)部營(yíng)銷副總裁John Koeter 表示：“作為接口IP核的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技持續(xù)在最新工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)高質(zhì)量IP核方面進(jìn)行重大投資，讓設(shè)計(jì)人員能夠獲得性能、功耗和面積優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)芯片差異化。我們與臺(tái)積公司合作利用N5P制程開(kāi)發(fā)新思科技DesignWare IP核，幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)其積極的設(shè)計(jì)目標(biāo)并加快項(xiàng)目進(jìn)度?！?/p>