國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商誕生：10nm級(jí)工藝 月產(chǎn)能將占全球3%

近日，據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。長(zhǎng)鑫內(nèi)存自主制造項(xiàng)目總投資1500億元，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會(huì)提升到40000晶圓/月，大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。

目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)國(guó)內(nèi)唯一的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是清華紫光，它計(jì)劃于2021年在重慶建成研發(fā)中心和DRAM晶圓廠，距離量產(chǎn)還要3-5年時(shí)間。

就在前幾天，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議，長(zhǎng)鑫收獲大量原奇夢(mèng)達(dá)內(nèi)存專利。