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          東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

          作者:TOSHIBA 時間:2019-12-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出兩款面向48V應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201912/408635.htm

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          MOSFET產(chǎn)品圖

          新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗;XPH4R10ANB擁有業(yè)界領先的[2]低導通電阻。

          應用

          汽車設備:電源裝置(DC-DC轉換器)和LED頭燈等(電機驅動、開關穩(wěn)壓器和負載開關)

          特性

          東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝。

          通過AEC-Q101認證。

          低導通電阻:

          ●RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

          ●RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

          采用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance(WF)封裝。

          主要規(guī)格

          (除非另有說明,@Ta=25°C)

          1577683124931142.png

          注釋

          [1]截至2019年12月25日。

          [2]在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中,截至2019年12月25日。東芝調查。



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