國產(chǎn)14nm爆發(fā)：產(chǎn)能年底提升400% 或年內(nèi)試產(chǎn)7nm

作為中國半導體行業(yè)最薄弱但也是最重要的環(huán)節(jié)，芯片工藝一直是國內(nèi)的痛點，所以國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際任重而道遠。此前中芯國際已經(jīng)表態(tài)14nm工藝已經(jīng)試產(chǎn)，今年就會迎來一輪爆發(fā)，年底的產(chǎn)能將達到目前的3-5倍，同時今年內(nèi)還有可能試產(chǎn)更先進的7nm工藝。

中芯國際的14nm工藝從2015年開始研發(fā)，已經(jīng)進行了多年，在2019年就已經(jīng)解決技術(shù)問題了，之前有報道援引中芯國際高管的表態(tài)，稱14nm工藝的良率已經(jīng)達到了95%，技術(shù)成熟度還是很不錯的。

不過良率達標之后，大規(guī)模量產(chǎn)還是個一道坎，這個過程需要有14nm工藝客戶的支持，精英代工是看客戶需求的，客戶需求高，產(chǎn)能才有可能建設(shè)的更大。在這一點上，中芯國際相比臺積電、三星是有劣勢的，后兩家的14nm同級工藝都已經(jīng)過了折舊期了，成本優(yōu)勢明顯，中芯國際只能依靠國內(nèi)的客戶。

截至2019年底，中芯國際的14nm產(chǎn)能據(jù)悉只有3000到5000晶圓/月，不過2020年14nm產(chǎn)能會增長很快，年底的時候?qū)⑦_到15000片晶圓/月，是目前的3-5倍，最多能增長400%。

14nm之后還有改進型的12nm FinFET工藝，根據(jù)中芯國際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%，預計今年上半年就會貢獻收入。

再往后中芯國際表示還會有N+1及N+2代FinFET工藝，其中今年內(nèi)有望小規(guī)模量產(chǎn)N+1代工藝。

只是中芯國際沒有明確這里的N指代的是哪種工藝，考慮到他們很有可能會跳過10nm工藝節(jié)點，那么N+1代應(yīng)該就是7nm節(jié)點了，意味著我們今年就有可能看到國產(chǎn)的7nm工藝。

即便中芯國際不跳過10nm節(jié)點，那么今年國內(nèi)的工藝也能追趕到10nm節(jié)點，跟臺積電、三星還是會落后一到兩代，但是已經(jīng)足夠先進了。