南亞科10nm DRAM技術(shù)突破
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據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)！
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202001/409232.htm全球 DRAM 內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá) 95% 以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來(lái)很難。
南亞科之前的內(nèi)存也是來(lái)自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的 10nm 級(jí)內(nèi)存，未來(lái)將自產(chǎn) DDR4/LPDDR4/DDR5 等內(nèi)存顆粒。
在美光前兩年全資收購(gòu)華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過(guò)份額只有2% 左右，而且技術(shù)來(lái)源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK 海力士轉(zhuǎn)向 1X、1Y、1Znm 工藝之后，南亞的主力還是 30nm 等，來(lái)自美光授權(quán)，這兩年才搞定 20nm 內(nèi)存，也是授權(quán)+合作研發(fā)的模式，南亞上次自己搞內(nèi)存研發(fā)還是 99nm 時(shí)代。
在 10nm 級(jí)內(nèi)存芯片中，南亞決定自研了，目前 10nm 級(jí)前導(dǎo)產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)在今年下半年試產(chǎn)，主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未來(lái)的 DDR5，都可以由自研的技術(shù)平臺(tái)生產(chǎn)。
在解決 10nm 級(jí)內(nèi)存工藝技術(shù)之后，南亞還會(huì)繼續(xù)研發(fā)第二代 10nm 級(jí)工藝，預(yù)計(jì) 2022 年量產(chǎn)，還會(huì)開(kāi)發(fā)第三代 10nm 級(jí)工藝。
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