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          智能電源方案用于數(shù)據(jù)中心,減小尺寸、增強(qiáng)可靠性并降低運(yùn)營成本

          作者:安森美半導(dǎo)體公司策略及營銷高級(jí)經(jīng)理Ali Husain 時(shí)間:2020-01-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          給云

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202001/409355.htm

          身處社會(huì),我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù),無論是在我們的個(gè)人生活中還是在我們工作的時(shí)候。此外,聯(lián)接數(shù)十億設(shè)備并不斷增長的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)正在創(chuàng)建數(shù)據(jù),完全無需人類幫助。隨著移動(dòng)技術(shù)發(fā)展到第五代(5G),將有能力創(chuàng)建更多的數(shù)據(jù)并以比以往任何時(shí)候都更快的速度運(yùn)行,從而為數(shù)據(jù)增長的趨勢提供更大的動(dòng)力。

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          所有這些數(shù)據(jù)都需要存儲(chǔ)在某處,以進(jìn)行處理和保存記錄。我們?nèi)諠u轉(zhuǎn)向“云”以保護(hù)這重要信息。但是,“云”并不是個(gè)虛無的地方,它以巨大的數(shù)據(jù)中心的形式牢固地扎根,這些數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和數(shù)量正在迅速增長,以應(yīng)對(duì)對(duì)額外存儲(chǔ)容量不斷增長的需求。

          毫不奇怪,數(shù)據(jù)中心需要大量的電力才能運(yùn)行。目前,據(jù)估計(jì),它們消耗了美國國內(nèi)約3%的電力,盡管這一比例預(yù)計(jì)在未來20年內(nèi)將上升到15%。每年出貨的服務(wù)器超過一千萬臺(tái),這一數(shù)字還在以每年約5%的速度增長,以滿足包括虛擬實(shí)境(VR)/增強(qiáng)實(shí)境(AR)、人工(AI) 訓(xùn)練和IoT等新興應(yīng)用日益增長的需求。

          電源能效和可靠性可能是數(shù)據(jù)中心行業(yè)最重要的議題,因?yàn)槲锢砜臻g非常寶貴,電能成本不斷上漲,而系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。隨著能效的提高,工作溫度下降,這本身就提高了可靠性。這也使電源方案更緊湊,從而節(jié)省空間,或支持可用空間納入更多的計(jì)算能力和存儲(chǔ)容量。

          盡管進(jìn)行了可靠性設(shè)計(jì),但在數(shù)據(jù)中心的使用壽命期間,具有活動(dòng)部件的組件如磁盤驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)扇仍會(huì)磨損并且可能會(huì)發(fā)生故障。因此,必須將電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)為允許對(duì)這些器件進(jìn)行熱插拔、交換,以便維修和升級(jí)不會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。

          技術(shù)提供方案解決電源挑戰(zhàn)

          為應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心帶來的挑戰(zhàn),電源方案必須更小、更緊湊、更高效和更精密。MOSFET技術(shù)有顯著改進(jìn),支持將控制IC和MOSFET集成在一個(gè)非常高效和緊湊的封裝中。

          例如,安森美半導(dǎo)體的NCP3284 DC-DC轉(zhuǎn)換器在5 mm x 6 mm的微小面積內(nèi)具有30 A連續(xù)(45A脈沖)的能力,工作頻率高達(dá)1MHz,可減少外部電感器和電容器的尺寸和重量。該集成器件還集成多種保護(hù)功能和可編程軟啟動(dòng)。

          功率密度水平更高的是電源級(jí)(SPS)方案如FDMF3170。SPS集成MOSFET與先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)器IC及電流和溫度傳感器,支持高電流、高頻、同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

          這全集成的方法使SPS在驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)寄生降低和MOSFET導(dǎo)通電阻得以優(yōu)化。FET對(duì)經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)最高能效,尤其是在對(duì)現(xiàn)代能效要求如80 plus非常嚴(yán)格的低占空比應(yīng)用。

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          圖1:多相控制器和DrMOS電源級(jí)提供方案

          高精度電流監(jiān)控(IMON)可用于替代電感器DCR或電阻器檢測方法,從而消除了通常與此類方法相關(guān)的損耗。

          在現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器系統(tǒng)中,即使是不起眼的保險(xiǎn)絲也進(jìn)行了改造。重要的是,在RAID系統(tǒng)、磁盤驅(qū)動(dòng)器電源和服務(wù)器I/O卡等應(yīng)用中,玻璃盒中的熔絲已被基于半導(dǎo)體的電子熔絲(eFuse)取代。eFuse使用低導(dǎo)通電阻MOSFET,在正常運(yùn)行期間和發(fā)生熱插拔時(shí)保護(hù)外設(shè)。實(shí)際上,它們可用于可能發(fā)生電源故障或負(fù)載故障以及可能需要限制浪涌、沖擊電流的任何應(yīng)用。除了為器件、連接器和PCB走線提供保護(hù)之外,它們還能由系統(tǒng)控制,并且許多都可提供有用的遙測功能如監(jiān)測溫度和電流。

          安森美半導(dǎo)體的NCP81295/6熱插拔控制器支持最高60A峰值電流(連續(xù)50A),基于0.8m ?的內(nèi)部MOSFET以實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。它們采用5mm x 5mm 32引腳QFN封裝,提供閂鎖或自動(dòng)重試版本,適合在高達(dá)+125°C的溫度下使用。

          另一個(gè)eFuse ——NIS5021是12V、12A系列器件,常與熱插拔硬盤一起使用。它緩沖HDD,使其不處于可能損壞敏感電路的任何過輸入電壓。內(nèi)置電壓鉗位限制輸出電壓以保護(hù)負(fù)載,同時(shí)保持連續(xù),使驅(qū)動(dòng)器可持續(xù)正常工作。

          復(fù)雜系統(tǒng)如服務(wù)器通常需要對(duì)其電源系統(tǒng)進(jìn)行智能控制,以確保正常運(yùn)行以及盡可能高的能效水平。負(fù)載管理器件支持對(duì)電源軌進(jìn)行分段,從而實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制。允許電路的未使用部分?jǐn)嚯?,有助于啟?dòng)時(shí)上電排序和降低運(yùn)營成本。反過來,較低的功率水平會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)中的熱量減少,從而提高可靠性和增加使用壽命。大多數(shù)負(fù)載開關(guān)還支持轉(zhuǎn)換速率控制,并可在故障條件下提供保護(hù)。

          系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用集成的負(fù)載開關(guān)如安森美半導(dǎo)體的NCP455xx系列,可獲得這些好處,且增加的系統(tǒng)器件數(shù)量盡可能少。高性能器件提供緊湊的方案,比分立式方案減少約60%的PCB占用空間。

          寬禁帶技術(shù)

          可能對(duì)服務(wù)器電源系統(tǒng)的尺寸、可靠性、能效和運(yùn)行成本產(chǎn)生積極影響的最重大的進(jìn)展是邁向基于寬禁帶(WBG)材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體。WBG器件設(shè)計(jì)比硅基器件具有更高的能效,還能在更高的頻率和更高的溫度下工作。

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          圖2:寬禁帶材料比較

          例如,在服務(wù)器電源應(yīng)用中常見的5kW升壓轉(zhuǎn)換器中,用SiC開關(guān)代替Si開關(guān)可在80kHz左右的頻率下降低73%的損耗,從而顯著提高系統(tǒng)能效。這有助于使系統(tǒng)更小,因?yàn)樾枰臒峁芾砀伲€可使系統(tǒng)運(yùn)行溫度更低,從而提高可靠性和實(shí)現(xiàn)更高的器件和系統(tǒng)密度。

          盡管SiC MOSFET比同等IGBT更貴,但在無源器件如電感和電容方面的相關(guān)成本節(jié)省了75%,這導(dǎo)致SiC設(shè)計(jì)比Si設(shè)計(jì)的總物料單(BOM)成本低。更重要的是,在服務(wù)器安裝的整個(gè)生命周期中,節(jié)省的能源成本總計(jì)可達(dá)數(shù)萬甚至數(shù)百萬美元。

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          開關(guān)SiC MOSFET
          Si MOSFET
          Si IGBT
          擊穿電壓

          1200

          1200
          1200
          Ron*面積(同類的)
          1
          100
          3—5
          開關(guān)損耗(同類的)
          1
          3—5
          10

          SiC MOSEFT:接近理想的開關(guān)

          很好地結(jié)合低導(dǎo)通電阻(Rds-on)和低開關(guān)損耗,用于更高的電壓(>600 V)

          圖3:SIC MOSFET的優(yōu)勢

          小結(jié)

          對(duì)海量和日增的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求正創(chuàng)建一個(gè)非常有競爭力的數(shù)據(jù)中心環(huán)境。占位空間和電能是最大兩個(gè)的成本,隨著運(yùn)營商尋求降低這些成本,他們要求更高效、更可靠和更小的電源方案用于服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備。

          雖然在設(shè)計(jì)成功的服務(wù)器電源方案時(shí)需要考慮許多方面,但高度集成的器件如集成的MOSFET、SPS、eFuse和負(fù)載管理等使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建高效、緊湊和可靠的精密電源方案。eFuse在維護(hù)正常運(yùn)行時(shí)間方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,因?yàn)樗鼈儽阌谌菀壮霈F(xiàn)故障的設(shè)備如HDD和風(fēng)扇進(jìn)行熱交換。

          展望不久的將來,WBG材料有望在尺寸和性能方面實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的改變,并提高可靠性和能效,從而減少運(yùn)營支出?,F(xiàn)在,WBG方案的BOM成本可與類似的硅設(shè)計(jì)相當(dāng)或更低,因此這些器件的采用有望加速。



          關(guān)鍵詞: 供電 智能

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