都是顆粒 為什么SSD有壽命、內(nèi)存卻沒有？

隨著技術的發(fā)展,我們使用的存儲器也各種各樣,雖然都基于芯片顆粒,但表現(xiàn)截然不同,比如說讀寫次數(shù)限制,或者叫壽命,SSD固態(tài)硬盤就有限制,DRAM內(nèi)存卻沒有。

按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲器,緊挨著CPU處理器,用來臨時存放后者需要的運算數(shù)據(jù),并與外部存儲器進行交換,起到橋梁的作用。

DRAM內(nèi)存的特點是讀寫速度快、延遲低,但屬于易失性存儲,也就是一旦斷電,數(shù)據(jù)就會全部丟失。

DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來保存數(shù)據(jù),而且只是臨時存儲數(shù)據(jù),并沒有實質(zhì)性的寫入,不涉及對物理單元結構、屬性的改變,所以可以無限次讀寫。

當然,這并不意味著DRAM內(nèi)存就可以永久使用,畢竟其中的晶體管、電容等物理結構也會慢慢老化,所有電子設備都是如此,只是這個過程非常非常緩慢,正常使用根本感覺不到。

SSD則是外部存儲,用來長久保存數(shù)據(jù),屬于非易失性存儲,斷電后數(shù)據(jù)還在,但是相對速度慢、延遲高,HDD機械硬盤、U盤、光盤等也是此類。

SSD的存儲介質(zhì)是NAND閃存顆粒,需要施加不同的電壓、改變內(nèi)部狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù),隨著時間的流逝、讀寫次數(shù)的增加,會出現(xiàn)物理性的損耗,最終不可用。

NAND閃存的壽命一般用P/E編程擦寫次數(shù)來描述,寫滿一次容量就損失一次P/E。

SLC大約是10萬次,MLC只有5000次左右,TLC就只大概2000次,QLC僅為1000次上下,所以不得不依靠更多管理技術和算法來輔助,以保持壽命。

但另一方面,SLC、MLC、TLC、QLC的存儲密度越來越大,SSD容量也越來越大,寫滿的概率越來越低,所以整個SSD的實際壽命其實并沒有大大縮短,一般應用無需過分擔憂壽命問題。