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	 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平
          
						
          
				作者：
				時間：2020-02-12
				來源：汽車電子應(yīng)用
				
				
				
				
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          日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202002/409799.htm
          日前發(fā)布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2.35 mΩ，超低柵極電荷僅為55 nC，COSS為614 pF。這些改進后的技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低開關(guān)、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)（FOM）比緊隨其后的競爭產(chǎn)品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成為典型48 V輸入，12 V輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器最高效的解決方案。
          SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如同步整流、原邊開關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，諧振回路開關(guān)轉(zhuǎn)換器以及系統(tǒng)OR-ing功能，適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。
          新款MOSFET經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。 
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            SiR680ADP
                        MOSFET
                        Vishay
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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